Tokyo Electron(TEL)日前在日本京都舉辦2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits會上，宣布其位于等離子刻蝕設(shè)備開發(fā)和制造基地的TEL Miyagi工廠的開發(fā)團(tuán)隊，開發(fā)出了一種創(chuàng)新型刻蝕技術(shù)，該技術(shù)可在400層以上的先進(jìn)3D NAND堆疊結(jié)構(gòu)中形成內(nèi)存通孔。
在電介質(zhì)蝕刻尚未投入實際應(yīng)用的極低溫區(qū)域，該工藝顯著提升電介質(zhì)蝕刻的速度，并實現(xiàn)了與設(shè)備的兼容。
這項突破性新技術(shù)，不僅能在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深的高縱橫比蝕刻，且與傳統(tǒng)技術(shù)相比，還能將全球變暖潛能值(Global Warming Potential, GWP)降低84%。
如下圖1所示，蝕刻結(jié)構(gòu)的幾何形狀非常清晰。這項技術(shù)將推動更大容量的3D NAND Flash的技術(shù)創(chuàng)新。
圖1. 通孔的橫截面SEM圖和孔底部的FIB切圖
圖2. 3D NAND Flash
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：TEL發(fā)布用于400層以上堆疊3D NAND Flash的10微米深度內(nèi)存通孔蝕刻技術(shù)