華潤(rùn)微電子有限公司在近期的分析師會(huì)議上表示，IGBT 單管市場(chǎng)供需基本匹配，IGBT 模塊產(chǎn)品相對(duì)緊缺。華潤(rùn)微IGBT 產(chǎn)品 85%應(yīng)用在汽車電子和工控領(lǐng)域。IGBT 產(chǎn)品已從 6 吋產(chǎn)線升級(jí)到 8 吋產(chǎn)線，未來(lái)逐步升級(jí)到 12 吋產(chǎn)線，并擴(kuò)充相應(yīng)產(chǎn)能。2023 年IGBT 產(chǎn)品較去年仍會(huì)保持高速增長(zhǎng)。
此外，華潤(rùn)微碳化硅和氮化鎵均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，SiC MOS 第一代平面型 MOS 器件性能國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，同時(shí)已啟動(dòng)開發(fā)第二代溝槽型 MOS 產(chǎn)品。2023 年第三代半導(dǎo)體營(yíng)收將較去年實(shí)現(xiàn)翻番。
其碳化硅 SiC MOSFET 產(chǎn)品已規(guī)模上量，同時(shí)在碳化硅產(chǎn)品營(yíng)收中的占比持續(xù)提升，產(chǎn)品目前主要應(yīng)用在汽車電子、充電樁、光伏、儲(chǔ)能四大領(lǐng)域。氮化鎵產(chǎn)品主要應(yīng)用在手機(jī)快充、網(wǎng)通電源適配器、伺服電機(jī)電源、服務(wù)器電源、電網(wǎng)電表、助力車充電器、LED 電源等。
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