在工業(yè)以及社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施的電氣化、電動(dòng)化核心元器件——功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國內(nèi)外持續(xù)拓展IGBT、SiC相關(guān)業(yè)務(wù)。據(jù)小編統(tǒng)計(jì)，在11月，有20余家企業(yè)通過投融資并購、簽署合作訂單、項(xiàng)目簽約及開工投產(chǎn)、發(fā)布新品新技術(shù)等方式在IGBT/SiC方面持續(xù)發(fā)力。其中8家企業(yè)對涉及IGBT、SiC業(yè)務(wù)的相關(guān)企業(yè)進(jìn)行投融資收購，6家企業(yè)簽署合作訂單、12家企業(yè)有項(xiàng)目簽約或開工投產(chǎn)有新進(jìn)展、3家企業(yè)發(fā)布推出相關(guān)新品。
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1）日立將日立功率半導(dǎo)體全股份轉(zhuǎn)讓給美蓓亞三美
2）電裝投資Coherent子公司SiC晶圓制造企業(yè)Silicon Carbide LLC
3）Vishay收購安世半導(dǎo)體英國NWF晶圓廠
4）斯達(dá)半導(dǎo)體于上海新設(shè)全資子公司
5）賀利氏收購碳化硅材料供應(yīng)商Zadient
7）云潼科技獲千萬級股權(quán)投資，加速產(chǎn)品量產(chǎn)
8）羅姆完成對Solar Frontier 原國富工廠的收購
1）三菱電機(jī)和安世半導(dǎo)體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體
2）現(xiàn)代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議
3）海南航芯高科技與上海積塔半導(dǎo)體合作簽約
3.項(xiàng)目簽約/開工/投產(chǎn)/新進(jìn)展
2）中電化合物8吋SiC外延片首批產(chǎn)品交付
4）晶盛機(jī)電6英寸、8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目正式簽約啟動(dòng) ? ?
5）芯動(dòng)半導(dǎo)體首批IGBT模塊產(chǎn)品順利裝車
6）粵海金半導(dǎo)體順利研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片
7）摩派功率器件項(xiàng)目一期投資2.6億元
8）中電科三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心項(xiàng)目主體封頂
9）致瞻科技第20000臺乘用車碳化硅電動(dòng)壓縮機(jī)控制器成功下線
10）比亞迪功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工
11）意法半導(dǎo)體計(jì)劃投資50億歐元新建SiC晶圓廠
1）中恒微半導(dǎo)體發(fā)布LightEV系列SiC新品
2）基本半導(dǎo)體發(fā)布汽車級DCM碳化硅MOSFET模塊Pcore?2
3）宏微科技推出1700V IGBT產(chǎn)品
1.日立將日立功率半導(dǎo)體全股份轉(zhuǎn)讓給美蓓亞三美
11月2日，株式會(huì)社日立制作所將全資子公司株式會(huì)社日立功率半導(dǎo)體的全部股份轉(zhuǎn)讓給美蓓亞三美株式會(huì)社，當(dāng)日簽訂合同。
日立功率半導(dǎo)體成立于2013年10月，其目的是整合日立與日立原町電子工業(yè)株式會(huì)社的相同業(yè)務(wù)，構(gòu)建功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)從設(shè)計(jì)、制造到銷售的一條龍?bào)w制，此后將以"IGBT?SiC"、"高耐壓IC"、"二極管"這三種產(chǎn)品作為核心產(chǎn)品陣容，利用高耐壓和低損耗技術(shù)，提供高附加值的產(chǎn)品。
2.電裝投資Coherent子公司SiC晶圓制造企業(yè)
11月6日，株式會(huì)社電裝宣布對Coherent Corp.的子公司SiC晶圓制造企業(yè)Silicon Carbide LLC注資5億美元，并獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次出資將實(shí)現(xiàn)6英寸和8英寸 SiC晶圓的長期穩(wěn)定采購。
3.Vishay收購安世半導(dǎo)體英國NWF晶圓廠
11月8日，聞泰科技發(fā)布公告表示全資子公司?Nexperia B.V.(簡稱“安世半導(dǎo)體”)擬轉(zhuǎn)讓 NEPTUNE6LIMITED 100%股權(quán)，受讓方為紐約證券交易所上市公司Vishay?Intertechnology,Inc.的全資子公司Siliconix Incorporated，本次交易金額基礎(chǔ)值為1.77億美元(含安世半導(dǎo)體對標(biāo)的公司的債權(quán))，Vishay將為本次交易提供擔(dān)保。
4.斯達(dá)半導(dǎo)體于上海新設(shè)全資子公司
11月9日，斯達(dá)半導(dǎo)體（上海）有限公司成立，由斯達(dá)半導(dǎo)體100%控股，注冊資本5000萬元，經(jīng)營范圍包含：半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)等。
斯達(dá)半導(dǎo)體長期致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、SiC等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、MOSFET、SiC等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測試。IGBT模塊的是公司的主要產(chǎn)品。
5.賀利氏收購碳化硅材料供應(yīng)商Zadient
11月13日，賀利氏（Heraeus）官網(wǎng)宣布收購法德合資初創(chuàng)公司碳化硅（SiC）襯底供應(yīng)商Zadient的多數(shù)股份，進(jìn)入SiC粉料和SiC晶錠生長領(lǐng)域。Zadient通過化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝生產(chǎn)高純度碳化硅源材料，并開發(fā)高產(chǎn)量大直徑晶體生長技術(shù)。
有消息稱，華索（蘇州）科技有限公司與Zadient經(jīng)過多年科研攻關(guān)，已攻克氣相法（CVD工藝）批量生產(chǎn)高純SiC粉的技術(shù)障礙，生產(chǎn)出3C相β型的SiC微粉，純度達(dá)到6N-9N；顆粒均勻，粒徑主要分布在1-12mm，形態(tài)為顆粒狀。據(jù)了解，這種粉料是生產(chǎn)高端SiC襯底器件的原料，如SiC襯底、光刻吸盤、檢測吸盤、精密運(yùn)動(dòng)平臺、蝕刻環(huán)節(jié)的高純SiC部件、封裝檢測環(huán)節(jié)中精密運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)等。
11月14日，熾芯微電子科技（蘇州）有限公司宣布完成Pre-A輪融資，本輪融資由中關(guān)村協(xié)同創(chuàng)新直投基金、納川同和基金、毅達(dá)資本和蘇州恩都法汽車系統(tǒng)有限公司共同投資，融資主要用于首期生產(chǎn)能力建設(shè)包括萬級潔凈廠房建設(shè)、生產(chǎn)設(shè)備及實(shí)驗(yàn)室設(shè)備采買。?
熾芯微電子成立于2023年5月18日，是一家專注碳化硅塑封功率模塊封測的研制商，矢志研發(fā)并生產(chǎn)具備全自主知識產(chǎn)權(quán)的新型功率模塊封裝和測試技術(shù)。
7.云潼科技獲千萬級股權(quán)投資，加速產(chǎn)品量產(chǎn)
11月15日，重慶云潼科技有限公司獲兩江產(chǎn)業(yè)集團(tuán)旗下創(chuàng)投公司千萬級股權(quán)投資。本輪資金將主要用于新品研發(fā)、工廠設(shè)備投入，及加速現(xiàn)有產(chǎn)品量產(chǎn)等方面。此前，云潼科技已完成A輪數(shù)億元融資，受到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資機(jī)構(gòu)青睞。
云潼科技是一家聚焦車規(guī)級功率芯片、模塊、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)解決方案，全鏈條自主可控的半導(dǎo)體Fablite公司。公司當(dāng)前業(yè)務(wù)以新能源汽車市場為主，擁有IGBT、MOS單管及模塊等產(chǎn)品線，首創(chuàng)車用六合一PIM MOS模塊，產(chǎn)品應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、底盤域、熱管理領(lǐng)域、車身域等，服務(wù)車型100+，已實(shí)現(xiàn)在國內(nèi)各大主機(jī)廠主流車型中批量出貨。
8.羅姆完成對Solar Frontier原國富工廠的收購
11月15日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）依據(jù)與Solar Frontier Co., Ltd.簽訂的基本協(xié)議，完成對該公司原國富工廠的資產(chǎn)收購工作。該工廠經(jīng)過修整之后，將作為羅姆旗下制造子公司—藍(lán)碧石半導(dǎo)體公司的宮崎第二工廠投入運(yùn)營。目前計(jì)劃作為SiC功率半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)基地于2024年年內(nèi)投產(chǎn)。
1.三菱電機(jī)和安世半導(dǎo)體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體
11月13日，三菱電機(jī)株式會(huì)社（TOKYO：6503）宣布將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
三菱電機(jī)曾于2010年推出了全球首款用于空調(diào)的SiC功率模塊，并于2015年成為新干線子彈頭列車全SiC功率模塊的首家供應(yīng)商。
2.現(xiàn)代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議
11月15日，英飛凌官網(wǎng)宣布英飛凌科技與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并保留向現(xiàn)代/起亞供應(yīng)碳化硅及硅功率模塊和芯片的產(chǎn)能直至 2030 年，現(xiàn)代/起亞將出資支持這一產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)能儲(chǔ)備。
英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國大陸市場，在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。隨著居林晶圓廠的大幅擴(kuò)建，英飛凌將建成全球最大的200mm SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠，并進(jìn)一步鞏固自身作為汽車行業(yè)優(yōu)質(zhì)批量供應(yīng)商的領(lǐng)先地位。
3.海南航芯高科技于上海積塔半導(dǎo)體合作簽約
11月28日，以半導(dǎo)體芯片為主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)的海南航芯高科技產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目在?？诳⒐ね懂a(chǎn)。當(dāng)天，汽車芯片制造企業(yè)、上海積塔半導(dǎo)體有限公司與海南航芯項(xiàng)目方簽下一紙戰(zhàn)略合作協(xié)議。
依托CIDM模式，目前，首批產(chǎn)品已在海南航芯完成封測，并被送往客戶企業(yè)進(jìn)行終端驗(yàn)證。據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，海南航芯項(xiàng)目首期投資21億元，規(guī)劃建設(shè)20條產(chǎn)線，包括10條半導(dǎo)體功率模組生產(chǎn)線和10條芯片封測生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年春節(jié)前，第二條產(chǎn)線即可投產(chǎn)。
三、項(xiàng)目簽約/開工/投產(chǎn)/新進(jìn)展
11月1日，智新科技宣布近日首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。
智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。
2.中電化合物8吋SiC外延片首批產(chǎn)品交付
11月1日，中電化合物宣布已于10月31日順利完成客戶首批次8吋SiC外延片產(chǎn)品的交付。技術(shù)指標(biāo)上，8吋SiC外延片厚度均勻性可實(shí)現(xiàn)≤3%、摻雜濃度均勻性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm2。
中電化合物成立于2019年11月1日，自主研發(fā)、生產(chǎn)的6吋碳化硅晶錠、襯底片和外延片早已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。
11月1日，華索科技宣布順利完成首次大批CVD長晶粉的訂單交付。此次交付訂單是10月份華索在8吋碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)上獲得了重大進(jìn)展后接到的國際某頭部客戶年50噸中批量訂單。
華索科技成立于2020年10月13日，提前布局國內(nèi)碳化硅CVD粉工廠新工廠擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)，目前正積極突破年產(chǎn)能500噸以上，國內(nèi)第一家最早實(shí)現(xiàn)CVD粉大批量量產(chǎn)并降低成本，配合全球碳化硅市場的市場爆發(fā)。
4.晶盛機(jī)電6英寸、8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目正式簽約啟動(dòng)
11月4日，晶盛機(jī)電舉行“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”簽約暨啟動(dòng)儀式，項(xiàng)目總投資21.2億元。
晶盛機(jī)電自2017年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝的研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗(yàn)證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。
5.芯動(dòng)半導(dǎo)體首批IGBT模塊產(chǎn)品順利裝車
11月14日，長城控股旗下芯動(dòng)半導(dǎo)體自研自產(chǎn)的GFM平臺 750V/820A IGBT功率模塊順利量產(chǎn)裝車，首次實(shí)現(xiàn)在新能源汽車主驅(qū)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。該項(xiàng)目從立項(xiàng)研發(fā)到裝車僅14個(gè)月，產(chǎn)品于2023年6月通過第三方車規(guī)級AQG324認(rèn)證，并完成包括環(huán)境測試、壽命測試等34項(xiàng)電驅(qū)動(dòng)及整車試驗(yàn)，最終獲得整車質(zhì)量認(rèn)可并成功裝車。
目前芯動(dòng)半導(dǎo)體已形成平臺化開發(fā)模式，在相同封裝下兼容模塊電流規(guī)格550A-950A，全面覆蓋功率等級80kW-200kW，將逐步實(shí)現(xiàn)批量裝車及量產(chǎn)，同步開發(fā)的800V高壓模塊產(chǎn)品采用全新封裝形式結(jié)合SiC技術(shù)應(yīng)用，支持整車高壓化平臺需求。此前，芯動(dòng)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體模組封測制造基地項(xiàng)目——無錫工廠已于10月28日實(shí)現(xiàn)首條產(chǎn)線通線。
6.粵海金半導(dǎo)體順利研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片
11月20日，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司宣布成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片。其自主研制的碳化硅單晶生長爐上可成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20毫米，同時(shí)已順利加工出8英寸碳化硅襯底片。
7.摩派功率器件項(xiàng)目一期投資2.6億元
11月19日，江蘇摩派半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理高乾表示摩派功率器件項(xiàng)目一期1號廠房已正常運(yùn)營投產(chǎn)產(chǎn)出；2號廠房正在進(jìn)行內(nèi)部裝修，部分設(shè)備已進(jìn)場，預(yù)計(jì)11月底試生產(chǎn)；3號廠房計(jì)劃在12月底完成裝修，設(shè)備進(jìn)場調(diào)試。
該項(xiàng)目由四川華爾科技有限公司和江蘇摩派半導(dǎo)體有限公司投資興建，總投資6.6億元。一期投資2.6億元，使用3棟標(biāo)準(zhǔn)廠房2.6萬平方米，新上功率器件封裝測試生產(chǎn)線20條。一期項(xiàng)目整體達(dá)產(chǎn)后，可年產(chǎn)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片20億顆，年產(chǎn)值7.2億元。
8.中國電科三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心項(xiàng)目主體封頂
11月22日，由中國電科二所所負(fù)責(zé)實(shí)施的中國電科（山西）三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主體結(jié)構(gòu)順利封頂。
中國電科（山西）三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心位于山西綜改示范區(qū)瀟河新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)，包括東區(qū)占地203畝的三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心試驗(yàn)驗(yàn)證線及配套項(xiàng)目，西區(qū)占地312畝的微電子智能制造產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目，計(jì)劃總投資12.7億元，分兩期建設(shè)。一期項(xiàng)目建成后，具備年產(chǎn)600臺/套智能制造裝備、24000片/年陶瓷基板和電路模塊的能力，建成6英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造裝備工藝驗(yàn)證平臺和共性技術(shù)研發(fā)平臺。
9.致瞻科技第20000臺乘用車碳化硅電動(dòng)壓縮機(jī)控制器成功下線
11月24日，致瞻科技第 20000臺碳化硅電動(dòng)壓縮機(jī)控制器舉行下線儀式，標(biāo)志著致瞻在車用空調(diào)熱管理這一垂直細(xì)分行業(yè)產(chǎn)業(yè)化方面，取得了從0到1的突破。
此前致瞻于2022年落戶嘉善縣姚莊鎮(zhèn)建成的生產(chǎn)總部產(chǎn)線的自動(dòng)化率達(dá)到了100%，已通過IATF16949質(zhì)量體系認(rèn)證。
10.比亞迪功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工
11月28日，比亞迪功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工，項(xiàng)目總投資100億元，用地417畝，一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。
在集成電路領(lǐng)域，能夠自己設(shè)計(jì)、生產(chǎn)晶圓的企業(yè)稱為IDM企業(yè)，全球代表性的IDM企業(yè)有英特爾、三星等。比亞迪項(xiàng)目一期投產(chǎn)填補(bǔ)了集成電路產(chǎn)業(yè)大型IDM企業(yè)空白，對建設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)集群意義重大。
11.意法半導(dǎo)體計(jì)劃投資50億歐元新建SiC晶圓廠
11月26日，法國雜志UsineNouvelle報(bào)道稱意法半導(dǎo)體（）STMicroelectronics）繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計(jì)劃后，為平衡集團(tuán)在意法兩國布署，亦將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅巨型半導(dǎo)體晶圓廠，專門生產(chǎn)碳化硅芯片。
此前，意法半導(dǎo)體6月7日在官網(wǎng)宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)司，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2030年碳化硅收入將超過50億美元。該合資公司將采用意法半導(dǎo)體專有的碳化硅制造工藝技術(shù)，達(dá)產(chǎn)后可生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓10,000片/周。為意法半導(dǎo)體專門生產(chǎn)碳化硅器件，并作為意法半導(dǎo)體的專用代工廠，以支持其中國客戶的需求。
12.中建一局宣布中標(biāo)武漢長飛第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目
11月29日，中建一局宣布中標(biāo)武漢長飛第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目，項(xiàng)目位于武漢市東湖高新區(qū)建筑總面積約25.15萬平方米建設(shè)內(nèi)容包括廠房、綜合樓等建成后將打造從外延生長、器件設(shè)計(jì)晶圓制造到模塊封測的全產(chǎn)業(yè)鏈能力預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸碳化硅MOSFET及晶圓36萬片功率器件模塊6100萬個(gè)，廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
1.中恒微半導(dǎo)體LightEV系列SiC新品——2V006E120T1P
11月3日，中恒微半導(dǎo)體發(fā)布LightEV系列SiC新品——2V006E120T1P。該產(chǎn)品是中恒微半導(dǎo)體新一代的SiC MOSFET功率模塊，產(chǎn)品為HalfBridge電路拓?fù)?，Voss=1200V，l=200A，使用先進(jìn)的插針工藝，內(nèi)部集成NTC并結(jié)合Si3N4覆銅陶瓷基板。適用于DC/DC變換器、太陽能應(yīng)用、UPS 儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域。
2.基本半導(dǎo)體發(fā)布汽車級DCM碳化硅MOSFET模塊Pcore?2
11月23日，基本半導(dǎo)體發(fā)布新品汽車級DCM碳化硅MOSFET系列模塊PcoreTM2，該模塊是采用溝槽型碳化硅MOSFET芯片的低導(dǎo)通電阻轉(zhuǎn)模型功率模塊，是基本半導(dǎo)體專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的一款高功率密度的碳化硅功率模塊。
該產(chǎn)品為業(yè)內(nèi)主流DCM封裝模塊，采用先進(jìn)的有壓型銀燒結(jié)工藝和高性能粗銅線鍵合技術(shù)，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)。產(chǎn)品具有低動(dòng)態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點(diǎn)，可支持連續(xù)運(yùn)行峰值結(jié)溫至175℃，以及具備650Arms以上連續(xù)峰值相電流輸出。
3.宏微科技推出1700V IGBT產(chǎn)品
11月23日，宏微科技推出1700V IGBT系列產(chǎn)品，不僅在芯片性能上進(jìn)行了改進(jìn)，還在封裝形式上進(jìn)行創(chuàng)新，有效地降低了功耗，提升了效率；還具有更出色的可靠性能力，HV-H3TRB、防硫化等使其在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)更加優(yōu)秀，廣泛應(yīng)用于高壓變頻、SVG、儲(chǔ)能等領(lǐng)域。
使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊，只用1個(gè)模塊即可完成3個(gè)模塊的工作，同時(shí)還內(nèi)置了NTC熱敏電阻，以輔助實(shí)際工作中的溫度監(jiān)控。與原先方案對比，1個(gè)一體化 IGBT模塊構(gòu)成高壓變頻器的1個(gè)單元，使系統(tǒng)級聯(lián)設(shè)計(jì)變得更容易。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：聚焦 IGBT/SIC，202311期月報(bào)資訊匯總
