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1月25日,迪斯科中國官微消息,為針對Si以及SiC等8英寸以下的晶圓,開發(fā)了雙主軸全自動研磨機(jī)「DFG8541」。

該機(jī)型為暢銷研磨機(jī)「DFG8540」的升級機(jī)型,實(shí)現(xiàn)了更為穩(wěn)定的高產(chǎn)能減薄加工。同時(shí),與DFG8540相比,進(jìn)一步完善了清洗結(jié)構(gòu),提高了維護(hù)保養(yǎng)便捷性,降低了壓縮空氣使用量,減少了占地面積。

DISCO推出新型自動研磨機(jī),可加工8英寸SiC晶圓

著高密度封裝技術(shù)的發(fā)展,對晶圓薄型化的需求不斷提高,為了降低因附著的顆粒所造成的研磨、搬運(yùn)、清洗時(shí)的破裂風(fēng)險(xiǎn),因此要求設(shè)備內(nèi)部保持更高的清潔度。
為了滿足Φ8英寸內(nèi)的晶圓加工需求,為半導(dǎo)體市場提供了DFG8540全自動研磨機(jī)。DFG8540也作為標(biāo)準(zhǔn)雙軸研磨機(jī),被半導(dǎo)體器件商、電子元件制造商廣泛采用。
迪斯科推出DFG8540到DFG8541,時(shí)間已經(jīng)過去20年。客戶的加工對象從Si擴(kuò)展到包括SiC在內(nèi)的化合物半導(dǎo)體。
后續(xù)機(jī)型DFG8541,旨在提升高清潔度、穩(wěn)定地減薄研磨,以及提高工作效率和生產(chǎn)力。通過選配高扭矩主軸,可應(yīng)對SiC等硬度較高的研磨材料,還可滿足全球碳中和帶來的SiC功率半導(dǎo)體的制造需求。
晶圓減薄工藝

晶圓減薄工藝的作用是對已完成功能的晶圓(主要是硅晶片)的背面基體材料進(jìn)行磨削,去掉一定厚度的材料。有利于后續(xù)封裝工藝的要求以及芯片的物理強(qiáng)度,散熱性和尺寸要求。

晶圓減薄工藝流程:

晶圓進(jìn)料檢驗(yàn)—>貼膜>研磨>撕片,其中研磨部分是將裝有已貼膜好的晶圓放進(jìn)研磨機(jī),它將自動取片放入加片臺(Chuck table),然后進(jìn)行粗磨和精磨,已達(dá)到研磨厚度和表面粗糙度的要求。

DISCO推出新型自動研磨機(jī),可加工8英寸SiC晶圓

研磨后的晶圓(來源:宜錦科技)

晶圓減薄后對芯片的優(yōu)點(diǎn):

1)散熱效率顯著提高,隨著芯片結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜,集成度越來越高,晶體管數(shù)量急劇增加,散熱已逐漸稱為影響芯片性能和壽命的關(guān)鍵因素。薄的芯片更有利于熱量從襯底導(dǎo)出。

2)減小芯片封裝體積。微電子產(chǎn)品日益向輕薄短小的方向發(fā)展,厚度的減小也相應(yīng)地減小了芯片體積。

3)減少芯片內(nèi)部應(yīng)力。芯片厚度越厚芯片工作過程中由于熱量的產(chǎn)生,使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量升高,基體層之間的熱差異性加劇,加大了芯片內(nèi)應(yīng)力,較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片產(chǎn)生破裂。

4)提高電氣性能。晶圓厚度越薄背面鍍金使地平面越近,器件高頻性能越好。

5)提高劃片加工成品率。減薄硅片可以減輕封裝劃片時(shí)的加工量,避免劃片中產(chǎn)生崩邊、崩角等缺陷,降低芯片破損概率等。

迪斯科是一家「半導(dǎo)體制造設(shè)備生產(chǎn)商」,提供用于制造半導(dǎo)體和電子零件的精密加工設(shè)備(如切割機(jī)和研磨機(jī))、以及安裝在設(shè)備上的精密加工工具。

來源:迪斯科中國官微

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):DISCO推出新型自動研磨機(jī),可加工8英寸SiC晶圓

作者 li, meiyong

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