1月30日，據(jù)比地招標(biāo)網(wǎng)消息，南砂晶圓100%控股子公司中晶芯源的8英寸碳化硅單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。
根據(jù)山東新聞聯(lián)播報道內(nèi)容，該項目于2023年6月12日落地山東濟南。南砂晶圓濟南擴產(chǎn)基地負(fù)責(zé)人李樹強表示：“技術(shù)團隊主要核心力量還是山東大學(xué)，計劃在2025年滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)，屆時預(yù)計產(chǎn)值達(dá)到50億元以上。”
中晶芯源是南砂晶圓100%控股子公司，成立于2023年，是該項目擴產(chǎn)基地的主建方。
南砂晶圓成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售三位一體的國家高新技術(shù)企業(yè)，注冊資本2.81億元。公司產(chǎn)品主要以6英寸半絕緣和N型碳化硅襯底為主。
南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)于2022年9月8日成功實現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底。
圖源：南砂晶圓官網(wǎng)
經(jīng)測試表征，襯底微管密度小于0.3/cm2，4H-SiC晶型比例100%，電阻率平均值22mΩ?cm，不均勻性小于4%，襯底(004)面高分辨XRD 5點搖擺曲線半峰寬平均值32.7弧秒，說明襯底具有良好的結(jié)晶質(zhì)量，邊緣擴徑區(qū)域沒有小角度晶界缺陷。
作為第三代半導(dǎo)體，碳化硅是芯片制造的基礎(chǔ)材料之一，在國防建設(shè)、航空航天、新能源汽車、5G通訊等領(lǐng)域都有廣闊應(yīng)用前景。芯片面積8英寸的比6英寸的大1.8倍，那么芯片個數(shù)比6英寸還多1.8倍，降低了成本。
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原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：南砂晶圓8英寸SiC擴產(chǎn)基地項目正式備案