2月26日，據(jù)“普興電子”官網(wǎng)顯示，旗下6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評第一次公示更新。
據(jù)了解，該項目總投資35070.16萬元，建筑面積約4000m2，購置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺(套)形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。
普興電子從16年開始SiC的研發(fā)，19年實現(xiàn)了6寸SiC外延片的量產(chǎn)，21年中標(biāo)國家工信部碳化硅外延產(chǎn)業(yè)化的項目。目前主要為1200V MOS產(chǎn)品，已通過車規(guī)級驗證，應(yīng)用在新能源車主驅(qū)模塊上。
根據(jù)“石家莊發(fā)布”1月9日新聞報道，普興電子正在加大SiC產(chǎn)能，布局第四代半導(dǎo)體材料研發(fā)。
總經(jīng)理薛宏偉表示，目前普興電子在全國硅外延功率器件方面做到全國最大，在SiC外延領(lǐng)域做到了全國前三，是國內(nèi)發(fā)展的頭部企業(yè)。下一步將加快發(fā)展，在8英寸SiC外延方面進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，達(dá)到年產(chǎn)60萬片6到8英寸SiC的產(chǎn)能。另外積極布局第四代半導(dǎo)體材料研發(fā)，做到研發(fā)一代、儲備一代、生產(chǎn)一代。
-END-
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：投資3.5億！普興電子年產(chǎn)24萬片6英寸SiC外延片項目更新