外延是指在碳化硅襯底的表面，生長(zhǎng)出的一層質(zhì)量更高的單晶材料，在導(dǎo)電型碳化硅襯底表面生長(zhǎng)一層碳化硅外延層，稱為同質(zhì)外延；在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層，則稱為異質(zhì)外延。
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碳化硅晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)不可避免地產(chǎn)生缺陷、引入雜質(zhì)，導(dǎo)致襯底材料的質(zhì)量和性能都不夠好，而外延層的生長(zhǎng)可以消除襯底中的某些缺陷，使晶格排列整齊。目前幾乎所有的器件都是在外延上實(shí)現(xiàn)的，因此外延的質(zhì)量對(duì)器件的性能有著決定性的影響。
根據(jù) CASA 統(tǒng)計(jì)，2022年SiC功率電子市場(chǎng)規(guī)模約為21億美元，預(yù)計(jì)到 2027年SiC功率電子市場(chǎng)規(guī)模接近80億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為 30%。外延占碳化硅功率器件成本結(jié)構(gòu)的 23%，價(jià)值量占比較高。
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出于降本的需要，國(guó)內(nèi)企業(yè)在6英寸碳化硅外延生長(zhǎng)上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)逐步放量，并開始延展至對(duì)8英寸外延的研發(fā)投產(chǎn)。
報(bào)告內(nèi)容如下：
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：2024年碳化硅（SiC）外延及供應(yīng)商報(bào)告.ppt