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晶能微電子、揚(yáng)杰電子、天睿半導(dǎo)體、韓國ASE、韓國HANS MACHINE、譜析光晶6家企業(yè)有相關(guān)項(xiàng)目簽約；
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天域半導(dǎo)體、芯華睿、三安＆意法、豐正半導(dǎo)體、晶佰源、山東水發(fā)＆臺灣某半導(dǎo)體、芯干線、重投天科、英特利、愛仕特等12家企業(yè)有相關(guān)項(xiàng)目進(jìn)展；
1.?晶能微電子10億SiC半橋模塊項(xiàng)目簽約
2.?天域半導(dǎo)體項(xiàng)目2號廠房封頂，預(yù)計(jì)5月試產(chǎn)
2月3日，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目2號廠房于近日封頂，預(yù)計(jì)2024年5月試產(chǎn)。該項(xiàng)目位于東莞松山湖生態(tài)園，總投資達(dá)80億元，將分二期建設(shè)，一期建設(shè)2號廠房，二期建設(shè)1、3號廠房。其中一期項(xiàng)目投資金額約為19.14億元，將購置71臺外延爐，搭建年產(chǎn)能約17萬片的 6/8 英寸SiC外延片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)6英寸產(chǎn)能占比約90%，8英寸產(chǎn)能占比約 10%。
3.?揚(yáng)杰科技SiC模塊封裝項(xiàng)目落地?fù)P州
2月4日，江蘇揚(yáng)州維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)集中簽約7個(gè)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目，總投資約58億元。其中揚(yáng)杰電子科技股份有限公司旗下的新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項(xiàng)目是簽約項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造，全部建成投產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年開票銷售5億元，年納稅1500萬元。
4.?愛仕特SiC模塊交付海外、中標(biāo)中電裝SiC模塊開發(fā)項(xiàng)目
2月3日，愛仕特宣布實(shí)現(xiàn)1200V MED系列碳化硅功率模塊成功交付海外客戶；實(shí)現(xiàn)650V MEP系列碳化硅功率模塊的批量交付，該產(chǎn)品適用于太陽能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開關(guān)。
2月29日，中國電氣裝備集團(tuán)科學(xué)技術(shù)研究院有限公司在其官網(wǎng)公布了“碳化硅模塊封裝設(shè)計(jì)與工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù)項(xiàng)目”成交結(jié)果，愛仕特脫穎而出成功中標(biāo)。此次中標(biāo)，愛仕特將提供碳化硅功率模塊封裝設(shè)計(jì)與工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù)，在項(xiàng)目工期內(nèi)交付基于愛仕特1200V/1700V碳化硅芯片的 62mm封裝定制開發(fā)功率模塊。
5.?芯華睿微電子已全面步入試生產(chǎn)階段
2月19日，東臺日報(bào)透露江蘇芯華睿微電子已全面步入試生產(chǎn)階段。芯華睿新能源及車規(guī)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目由上海芯華睿半導(dǎo)體科技投資建設(shè)，落地江蘇東臺高新區(qū)，聚焦Si、SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)。項(xiàng)目一期投資5億元購置全自動設(shè)備、布局智能生產(chǎn)線和超聲波設(shè)備檢測線，擬于4月部分投產(chǎn)，全部建成達(dá)效后可年產(chǎn)汽車、光伏、工控功率模組產(chǎn)品200萬只，其中包括塑封（SiC）模組為110萬只等。
6.?天睿半導(dǎo)體8英寸GaN/SiC項(xiàng)目落地福州
2月20日，福建省福州市舉行可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會，長樂分會場成功簽約13個(gè)項(xiàng)目，其中包括天睿半導(dǎo)體8英寸GaN/SiC項(xiàng)目。該項(xiàng)目將新建8英寸氮化鎵和碳化硅晶圓廠，并通過產(chǎn)業(yè)并購和新建項(xiàng)目等方式布局第三代半導(dǎo)體襯底外延、晶圓制造、器件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)應(yīng)用及相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。
7.?總投資超5000萬美元，2個(gè)韓資半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約江蘇
2月20日，蘇州昆山巴城鎮(zhèn)與韓國ASE株式會社及韓國HANS MACHINE株式會社舉行項(xiàng)目簽約儀式。兩項(xiàng)目均為中園益泰（昆山）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園入園項(xiàng)目。
韓國ASE半導(dǎo)體項(xiàng)目計(jì)劃總投資2000萬美元，將涉及半導(dǎo)體清洗機(jī)、電力半導(dǎo)體碳化硅清洗機(jī)、刻蝕機(jī)、液晶清洗機(jī)的研發(fā)和生產(chǎn)等。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超5億元。
韓國HANS MACHINE半導(dǎo)體項(xiàng)目計(jì)劃總投資3000萬美元，將涉及半導(dǎo)體自動化系統(tǒng)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和制造等。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超6億元。
8.?重慶三安意法SiC項(xiàng)目將年內(nèi)提前2個(gè)月通線
2月20日，重科城微報(bào)透露三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目在春節(jié)期間不停工，建設(shè)取得快速進(jìn)展，預(yù)計(jì)年內(nèi)亮燈通線，將比原計(jì)劃提前2個(gè)月。三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目，規(guī)劃總投資約32億美元。達(dá)產(chǎn)后，每年能生產(chǎn)48萬片8吋碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片，在行業(yè)處于領(lǐng)先水平。目前，項(xiàng)目主廠房已經(jīng)封頂，正在進(jìn)行室內(nèi)裝修和設(shè)備采購。
9.?豐正半導(dǎo)體晶圓項(xiàng)目開工奠基
2月22日，浙江豐正半導(dǎo)體特色工藝晶圓制造項(xiàng)目在浙江麗水云和奠基。該項(xiàng)目為特色工藝晶圓制造，聚焦?6/8英寸碳化硅及氮化鎵晶圓片，總投資額達(dá)51億元，用地約130畝，共分2個(gè)階段建設(shè)。
10.?譜析光晶年產(chǎn)10萬臺SiC芯片項(xiàng)目簽約浙江瓜瀝
2月24日，浙江省杭州市蕭山區(qū)瓜瀝鎮(zhèn)舉行推進(jìn)新型工業(yè)化暨項(xiàng)目開工簽約大會，會上新簽約項(xiàng)目包含譜析光晶投資的年產(chǎn)10萬臺“第三代半導(dǎo)體芯片與系統(tǒng)生產(chǎn)基地項(xiàng)目”。該項(xiàng)目計(jì)劃總投資1億元，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)值2億元，稅收貢獻(xiàn)1000萬元。
11.?晶佰源IGBT/SiC功率模塊封測和5寸晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目
2月26日，山東省棗莊市嶧城舉行2024年春季全區(qū)高質(zhì)量發(fā)展重大項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場推進(jìn)會，其中包含晶佰源IGBT/SiC功率模塊封裝測試和5寸晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目。該項(xiàng)目總5.8億元，2024年計(jì)劃投資1.2億元，預(yù)計(jì)年產(chǎn)半導(dǎo)體電子元器件5000萬件。
12.?山東半導(dǎo)體項(xiàng)目開工，二期建設(shè)GaN/SiC生產(chǎn)線
2月26日，山東省菏澤市牡丹區(qū)吳店鎮(zhèn)舉辦2024年春季吳店鎮(zhèn)省重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場推進(jìn)會暨砷化鎵半導(dǎo)體晶片項(xiàng)目開工奠基儀式。該項(xiàng)目由山東水發(fā)聯(lián)合臺灣半導(dǎo)體龍頭企業(yè)共同投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資35億元，計(jì)劃分兩期實(shí)施。一期工程計(jì)劃投資15億元，建設(shè)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。二期工程計(jì)劃投資20億元，建設(shè)4/6英寸第三代化合物半導(dǎo)體GaN/SiC生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及耐高壓新能源汽車逆變器，以滿足多元化市場需求。二期工程計(jì)劃2026年下半年開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2028年上半年投產(chǎn)。
13.?普興電子年產(chǎn)24萬片6英寸SiC外延片項(xiàng)目更新
2月26日，普興電子旗下6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評第一次公示更新。該項(xiàng)目總投資35070.16萬元，建筑面積約4000m2，購置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺(套)形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。
14. 芯干線第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及智能功率模塊封測項(xiàng)目
2月26日，江蘇省鹽城市建湖縣縣委調(diào)研建湖縣重大項(xiàng)目推進(jìn)情況，其中包括南京芯干線公司投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及智能功率模塊封測項(xiàng)目。該項(xiàng)目一期購置各類設(shè)備約22臺套，二期購置約135臺套，項(xiàng)目全部投產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)100萬顆IPM智能功率模塊產(chǎn)品的能力，可實(shí)現(xiàn)開票銷售15億元/年。據(jù)官網(wǎng)消息，江蘇芯干線一期工廠已經(jīng)在鹽城市開始建設(shè)，預(yù)計(jì)2024年初會實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)，二期芯干線功率模塊產(chǎn)業(yè)園建設(shè)也在進(jìn)行中。
15. 重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式啟用
2月27日，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運(yùn)營的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，總投資32.7億元。該項(xiàng)目重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線，2021年11月開工建設(shè)，2022年11月關(guān)鍵生產(chǎn)區(qū)域廠房結(jié)構(gòu)封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線正式進(jìn)入試運(yùn)行階段，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片。
16.?英特利IGBT制氫整流器成功投運(yùn)并順利產(chǎn)氫
2月27日，英特利宣布自主研發(fā)的16kA IGBT千方級制氫整流器成功投運(yùn)，這是迄今為止制氫行業(yè)投運(yùn)的最大電流的IGBT整流器，也是英特利繼國內(nèi)首個(gè)最大單電解槽3000Nm3/h配套的晶閘管制氫整流器業(yè)績后，在制氫行業(yè)IGBT整流器產(chǎn)品新的突破。
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