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3月19日,中微半導(dǎo)體發(fā)布公告稱,制定2024年度“提質(zhì)增效重回報”行動方案,以進(jìn)一步提升公司經(jīng)營效率。

中微半導(dǎo)體:碳化硅功率器件外延設(shè)備即將開展客戶端生產(chǎn)驗證

中微半導(dǎo)體2023年營業(yè)收入達(dá)到62.5億元,同比增長約32.2%;歸母凈利潤達(dá)到17.86億元,同比增長52.7%;新增訂單金額約83.6億元,同比增長約32.3%。

聚焦核心主業(yè),加速新產(chǎn)品推出

中微半導(dǎo)體專注半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備,目前可以提供5納米及更先進(jìn)的芯片刻蝕設(shè)備,從2012年到2023年的十余年中,銷售額年均增長率超過35%。

其等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是集成電路前道核心設(shè)備,中微提供的MOCVD設(shè)備更是先進(jìn)顯示和功率器件生產(chǎn)所需的關(guān)鍵設(shè)備。中微表示,2024年將繼續(xù)聚焦集成電路及泛半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的刻蝕和薄膜設(shè)備。

在此方案中,中微開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro-LED等器件所需的多類MOCVD設(shè)備也取得了良好進(jìn)展,2024年將會陸續(xù)進(jìn)入市場,同時公司還將積極探索布局在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)的核心設(shè)備市場機(jī)會。

中微半導(dǎo)體:碳化硅功率器件外延設(shè)備即將開展客戶端生產(chǎn)驗證

等離子體刻蝕設(shè)備

持續(xù)自主創(chuàng)新,進(jìn)行高水平研發(fā)投入

截至2023年12月,公司已申請2,551項專利,其中發(fā)明專利2,161項;

已獲授權(quán)專利1,547項,其中發(fā)明專利1,329項。

隨著全球半導(dǎo)體設(shè)備市場持續(xù)擴(kuò)大和技術(shù)的不斷創(chuàng)新,針對第三代半導(dǎo)體設(shè)備市場,中微正在開發(fā)硅基氮化鎵化硅功率器件專用的外延設(shè)備預(yù)計2024年第一季度將開展客戶端生產(chǎn)驗證,強(qiáng)化競爭實力。
另外在中微2023年度報告中顯示,還有2項SiC和GaN在研項目??傆嬐顿Y2.3億元,SiC外延項目處于開發(fā)階段,即將開展樣機(jī)在客戶端的驗證測試;GaN項目開發(fā)完成,已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。

中微半導(dǎo)體:碳化硅功率器件外延設(shè)備即將開展客戶端生產(chǎn)驗證

中微半導(dǎo)體:碳化硅功率器件外延設(shè)備即將開展客戶端生產(chǎn)驗證

項目方面中微在南昌的全資子公司南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的研發(fā)基地已于2023年7月正式投入使用;2024年,公司在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地將正式啟用。

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原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):中微半導(dǎo)體:碳化硅功率器件外延設(shè)備即將開展客戶端生產(chǎn)驗證

作者 li, meiyong

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