■?半導(dǎo)體新品發(fā)布現(xiàn)場(chǎng)
SiC EP200D-ZJS具備單腔同時(shí)加工2片8英寸晶圓的能力，設(shè)備單位產(chǎn)能提升80%，生產(chǎn)成本降低30%，同時(shí)EP200D搭載了目前最新的外延摻雜工藝包、全自動(dòng)化上料模塊以及AI大數(shù)據(jù)分析平臺(tái)EAP接口，可實(shí)現(xiàn)基于C2C模式的大規(guī)模外延量產(chǎn)方案。 EM200A-ZJS采用傅里葉變換紅外光譜技術(shù)，對(duì)6/8英寸的SiC外延片進(jìn)行非接觸式的外延層膜厚及整體均勻性的測(cè)量，該設(shè)備內(nèi)置了兩套自主研發(fā)算法，實(shí)現(xiàn)緩沖層和外延層的計(jì)算，用戶可根據(jù)自身工藝、膜層厚度及晶圓生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行算法選擇和調(diào)整。 FM200A-ZJS采用掠入射移相干涉技術(shù)，對(duì)2-8英寸SiC襯底片以及外延片的平坦度和厚度進(jìn)行非接觸式的高精度測(cè)量。設(shè)備支持定制化數(shù)據(jù)分析功能開發(fā)及自定義被測(cè)晶圓的分選標(biāo)準(zhǔn)，可根據(jù)設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)晶圓進(jìn)行分選下片。 WGP12T-ZJS采用空氣主軸帶動(dòng)砂輪高速旋轉(zhuǎn)，以IN-Feed方式對(duì)8-12英寸晶圓進(jìn)行磨削的減薄設(shè)備，可穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)厚度100μm以下的薄片化加工，可與貼膜機(jī)聯(lián)機(jī)使用，一次性完成晶圓撕貼膜作業(yè)。 WGP12THC-ZJS是根據(jù)當(dāng)前先進(jìn)封裝等市場(chǎng)需求開發(fā)的超精密晶圓減薄設(shè)備。集成先進(jìn)的超精密磨削、CMP及清洗工藝，配置卓越的厚度偏差與表面缺陷控制技術(shù)，極大滿足了3DIC制造、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域中晶圓超精密減薄技術(shù)需求。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：晶盛機(jī)電重磅發(fā)布多款碳化硅設(shè)備新品