5月20日，據(jù)“湖北日?qǐng)?bào)”消息，智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V碳化硅模塊，預(yù)計(jì)7月份批量投產(chǎn)，10月份大批量投用。
此前，我國(guó)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊大部分依賴進(jìn)口，嚴(yán)重制約了我國(guó)新能源汽車行業(yè)的健康發(fā)展。2019年6月，東風(fēng)公司與中國(guó)中車成立智新半導(dǎo)體，開始自主研發(fā)生產(chǎn)車規(guī)級(jí)的IGBT模塊。
2021年7月7日，以國(guó)際一流的第6代IGBT芯片技術(shù)為基礎(chǔ)的生產(chǎn)線啟動(dòng)量產(chǎn)，華中地區(qū)首批自主生產(chǎn)的車規(guī)級(jí)IGBT模塊產(chǎn)品正式下線。一期產(chǎn)能30萬只，主要生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊。
據(jù)悉，今年4月智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線投用，規(guī)劃產(chǎn)能40萬只，兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V碳化硅模塊，產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到70%。
智新半導(dǎo)體表示，該生產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月份批量投產(chǎn)，10月份大批量投用。800V碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，散熱性能更好、耐壓能力更強(qiáng)，能量轉(zhuǎn)化效率提高3%。與同樣性能的國(guó)外產(chǎn)品相比，該模塊成本降低30%，實(shí)現(xiàn)從有到優(yōu)的突破。
另外智新半導(dǎo)體正規(guī)劃第三條生產(chǎn)線，規(guī)劃年產(chǎn)能50萬只，到2025年，智新半導(dǎo)體將達(dá)到總產(chǎn)能120萬只IGBT模塊，全力支撐“十四五”東風(fēng)公司100萬輛新能源車的銷量目標(biāo)。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：智新半導(dǎo)體800V SiC模塊產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月批量投產(chǎn)
