國(guó)產(chǎn)之光，中電科二所SiC激光剝離設(shè)備取得關(guān)鍵突破

近日，據(jù)太原日?qǐng)?bào)報(bào)道，中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所（以下簡(jiǎn)稱“中電科二所”）在SiC激光剝離設(shè)備研究方面取得了突破性進(jìn)展（https://www.ab-sm.com/）。

“目前，科研團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ)，并利用自主搭建的實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)，結(jié)合特殊光學(xué)設(shè)計(jì)、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了小尺寸SiC(碳化硅)單晶片的激光剝離?！敝袊?guó)電子科技集團(tuán)第二研究所(以下簡(jiǎn)稱“中電科二所”)近日傳來(lái)好消息，在SiC激光剝離設(shè)備研制方面，取得了突破性進(jìn)展。

圖源自II-VI

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碳化硅SiC材料硬度與金剛石相近，現(xiàn)有的加工工藝切割速度慢、晶體與切割線損耗大，成本較高，導(dǎo)致材料價(jià)格高昂，限制了SiC半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。

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激光垂直改質(zhì)剝離設(shè)備被譽(yù)為“第三代半導(dǎo)體中的光刻機(jī)”，其創(chuàng)新性地利用光學(xué)非線性效應(yīng)，使激光穿透晶體，在晶體內(nèi)部發(fā)生一系列物理化學(xué)反應(yīng)，最終實(shí)現(xiàn)晶片的剝離。這種激光剝離幾乎能避免常規(guī)的多線切割技術(shù)導(dǎo)致的材料損耗，從而在等量原料的情況下提升SiC襯底產(chǎn)量。此外，激光剝離技術(shù)還可應(yīng)用于器件晶圓的減薄過(guò)程，實(shí)現(xiàn)被剝離晶片的二次利用。

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目前，中電科二所團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ)，并利用自主搭建的實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)，結(jié)合特殊光學(xué)設(shè)計(jì)、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了小尺寸SiC單晶片的激光剝離?，F(xiàn)已通過(guò)專家論證，正式立項(xiàng)啟動(dòng)，下一步將聚焦激光剝離技術(shù)的實(shí)用化與工程化。

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2019年，中電科二所投資50億元加碼SiC領(lǐng)域，擬建設(shè)用地約1000畝的中國(guó)電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園，計(jì)劃用5年時(shí)間，建成“一中心三基地”，即：中國(guó)電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國(guó)電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國(guó)電科（山西）三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、中國(guó)電科（山西）光伏新能源產(chǎn)業(yè)基地。