4月12日，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司發(fā)布公告稱，其控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司擬在已經(jīng)建成 SiC 芯片線的基礎(chǔ)上，投資4.616億元人民幣用于建設(shè)碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目。
據(jù)介紹，該項(xiàng)目建設(shè)周期為24個(gè)月，建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵 SiC MOSFET 芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵 SiC MOSFET 芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有 4 英寸 SiC 芯片線提升到 6 英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。
時(shí)代電氣在碳化硅器件領(lǐng)域已申請(qǐng)多項(xiàng)發(fā)明專利及發(fā)表多篇論文，完成了第一代技術(shù)產(chǎn)品的開發(fā)和技術(shù)積累，已形成成熟的 SiC 芯片產(chǎn)品”設(shè)計(jì)-制造-測(cè)試-模塊”完整能力， SiC 產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車、光伏等市場(chǎng)領(lǐng)域均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。時(shí)代電氣有過多條產(chǎn)業(yè)化半導(dǎo)體生產(chǎn)線的建設(shè)經(jīng)驗(yàn)，從 4~6 英寸大功率晶閘管生產(chǎn)線至 8 英寸 IGBT 生產(chǎn)線。
時(shí)代電氣表示，通過本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的 SiC 芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，并進(jìn)一步研發(fā)高性能的新產(chǎn)品，可以進(jìn)一步推進(jìn)中車時(shí)代半導(dǎo)體工藝技術(shù)進(jìn)步，提升產(chǎn)業(yè)化水平。
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