4月20日，拓荊科技股份有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市成功，股票代碼：688072。
據(jù)介紹，拓荊科技股份有限公司主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造三大主設(shè)備。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)晶圓廠 14nm 及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開 10nm 及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。
拓荊科技經(jīng)過十余年的創(chuàng)新發(fā)展，已成為國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商，也是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ALD設(shè)備廠商。目前，已形成覆蓋二十余種工藝型號(hào)的薄膜沉積設(shè)備，滿足下游客戶晶圓制造產(chǎn)線多種薄膜沉積工藝需求，廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。
本次發(fā)行并上市的募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后，將投資于高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目、ALD 設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金：
-
高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目：現(xiàn)有研發(fā)和生產(chǎn)基地基礎(chǔ)上進(jìn)行二期潔凈廠房建設(shè)、配套設(shè)施及生產(chǎn)自動(dòng)化管理系統(tǒng)建設(shè)，設(shè)計(jì)規(guī)模為 2,600 平方米左右；
-
先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目：面向 28nm-10nm 制程 PECVD 設(shè)備的多種工藝型號(hào)開發(fā)、面向 10nm 以下制程 PECVD 設(shè)備的平臺(tái)架構(gòu)研發(fā)及 UV Cure 系統(tǒng)設(shè)備研發(fā)；
-
ALD 設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目：建設(shè)上海ALD 產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地，開發(fā)面向 28nm-10nm 制程的 ALD 設(shè)備平臺(tái)架構(gòu)
半導(dǎo)體晶圓廠不斷通過減小晶圓線寬以提供更高性能的芯片產(chǎn)品，相應(yīng)對(duì)于薄膜沉積設(shè)備的產(chǎn)品性能參數(shù)以及薄膜材料覆蓋面提出新的要求。作為半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)，拓荊科技需要不斷提高技術(shù)水平、升級(jí)產(chǎn)品性能以滿足市場(chǎng)需求，同時(shí)擴(kuò)大產(chǎn)能，提高市場(chǎng)占有率，抓住國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的市場(chǎng)機(jī)遇。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：半導(dǎo)體專用設(shè)備廠商拓荊科技科創(chuàng)板成功上市
