近日，深圳后浪實驗室利用自主研發(fā)的直接濺射陶瓷基板（Direct Sputtering Ceramic Substrate，DSC）首次完成曝光、顯影、蝕刻等工藝實現(xiàn)IGBT線路雙面刻蝕，制備的IGBT基板銅層厚度達300微米，相對活性釬焊基板（AMB）、直接鍵合基板（DBC），DSC基板具有附著力更強、致密度更高的優(yōu)勢。
DSC基板是通過實驗室自主研發(fā)的持續(xù)高功率磁控濺射技術(shù)直接在陶瓷基板表面濺射沉積銅金屬層到所需厚度（0.3mm）的新型陶瓷基板制造方法，通過金屬層設(shè)計可實現(xiàn)銅層與陶瓷基板的可靠結(jié)合。這種直接濺射制作覆銅板的方法完全在真空系統(tǒng)中完成，有效避免傳統(tǒng)DBC、AMB陶瓷基板制造過程中的環(huán)境污染、附著力不強、高溫導(dǎo)致的致密度不足等問題，可顯著提高陶瓷基板的結(jié)合強度、致密度以及導(dǎo)電性。同時，DSC制備工藝簡單可控，可以同時適用于氧化鋁、氮化鋁、氮化硅等多種陶瓷基板，避免多種材料、工藝或裝備的重復(fù)開發(fā)和重復(fù)建設(shè)問題，有望降低陶瓷基板的制造成本。
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