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12月22日，電科材料下屬?lài)?guó)盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延產(chǎn)品下線(xiàn)，標(biāo)志著國(guó)盛公司已步入第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快車(chē)道。
國(guó)盛公司第一枚硅基氮化鎵外延片正式下線(xiàn)
硅基氮化鎵材料擁有高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)整體具有更大的成本優(yōu)勢(shì)，具有極高的競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)盛公司制備的硅基氮化鎵外延片，可以滿(mǎn)足電力電子用氮化鎵器件的需求。
自電科材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目投產(chǎn)以來(lái)，大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后實(shí)現(xiàn)客戶(hù)交付，如今高質(zhì)量的硅基氮化鎵外延材料順利下線(xiàn)，標(biāo)志著國(guó)盛公司產(chǎn)品多元化布局初步完成。
下一步，國(guó)盛公司將繼續(xù)按照集團(tuán)公司、電科材料戰(zhàn)略部署，著力加強(qiáng)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，完善產(chǎn)品設(shè)計(jì)和成果轉(zhuǎn)化，持續(xù)調(diào)整產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和布局，實(shí)現(xiàn)核心關(guān)鍵材料的自主保障和高端半導(dǎo)體外延材料的自主創(chuàng)新發(fā)展，為電科材料成為世界一流的半導(dǎo)體材料創(chuàng)新中心和產(chǎn)業(yè)基地貢獻(xiàn)國(guó)盛力量。
來(lái)源：中電材料

原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：國(guó)盛公司第一枚硅基氮化鎵外延片正式下線(xiàn)

作者 li, meiyong

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