目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、機械拋光和化學機械拋光（精拋），最終得到超光滑的碳化硅襯底晶片。拋光能夠有效去除研磨導致的表面硬粒和殘留損傷層，避免在后續(xù)切割過程中產(chǎn)生破片。
粗拋是針對雙面的機械拋光，目的是將襯底表面粗糙度加工至納米級別，同時提高襯底表面的總厚度偏差（TTV）、彎曲度（BOW）、 翹曲度（Warp），改善襯底表面的表面質(zhì)量粗糙度（Ra）。
常用的粗拋工藝采用高錳酸鉀氧化鋁粗拋液搭配無紡布粗拋墊，高錳酸鉀起到氧化腐蝕作用，納米氧化鋁顆粒起到機械磨削的作用，加工后的碳化硅襯底片表面粗糙度能達到0.2nm以內(nèi)。
精拋是碳化硅襯底晶片制作的最后一步工藝，其直接關系到加工之后的襯底能否投入生產(chǎn)，目的是進一步改善碳化硅襯底的表面質(zhì)量，得到超光滑表面質(zhì)量的晶片，通常要求表面粗糙度低于0.2 nm以下。
精拋通常采用100nm以內(nèi)的氧化硅拋光液搭配黑色阻尼布精拋墊使用，使用單面拋光機對碳化硅襯底片的Si面進行拋光。常見的CMP精拋液是AB組份，拋光液通常是搭配雙氧水使用，其中雙氧水起到氧化腐蝕的作用。該工藝加工后的碳化硅襯底片表面粗糙度能達到0.1nm以內(nèi)。
化學機械拋光CMP將化學拋光技術和機械拋光技術相結合，是當前國際上公認，可實現(xiàn)全局平坦化和超光滑無損傷納米級表面的加工方式。經(jīng)過化學機械拋光后SiC單晶片獲得超光滑、無缺陷及無損傷表面是高質(zhì)量外延層生長的決定因素。
CMP拋光模塊示意圖（圖源：《碳化硅單晶襯底超精密拋光關鍵技術研究》）
化學機械拋光是通過化學腐蝕和機械磨損協(xié)同作用，實現(xiàn)工件表面材料去除及平坦化的過程。晶片在拋光液的作用下發(fā)生化學氧化作用，表面生成化學反應層，隨后該反應軟化層在磨粒的機械作用下被除去。作為SiC單晶襯底加工的壓軸工序，CMP需要確保加工后的表面達到超光滑、無缺陷、無損傷的標準。
碳化硅典型化學機械拋光如下：
第一步，機械拋光：使用直徑0.5μm的金剛石拋光液將表面粗糙度拋光至0.7nm;
第二步，化學機械拋光：拋光壓力、主板轉速、陶瓷盤轉速、拋光液成分、拋光液流量等這些參數(shù)可調(diào)，應針對晶片和拋光機進行選擇。
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可用的化學拋光液：高錳酸鉀、雙氧水、Pt催化劑、Fe催化劑
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北京晶亦精微科技股份有限公司是由北京爍科精微電子裝備有限公司（爍科精微）整體變更發(fā)起設立的股份有限公司。公司改制前身爍科精微是中國電子科技集團有限公司所屬中電科電子裝備集團有限公司為實現(xiàn)科技成果轉化設立的混合所有制公司，于2019年9月23日在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)注冊成立，注冊資本：16646.135萬人民幣，是一家國家級高新技術企業(yè)。晶亦精微主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容的半導體制造領域的化學機械拋光機（CMP設備）。
晶亦精微CMP-設備Horizon-T兼容6/8英寸晶圓，全自動干進干出，工藝切換靈活，適用性廣，支持SiC、GaN第三代半導體及特種材料的平坦化工藝需求，已在國內(nèi)實現(xiàn)批量銷售。
https://www.hwatsing.com/
華海清科股份有限公司是一家擁有核心自主知識產(chǎn)權的高端半導體設備制造商，公司主要產(chǎn)品包括CMP設備、減薄設備、濕法設備、晶圓再生、關鍵耗材與維保服務，打造“裝備+服務”的平臺化戰(zhàn)略布局。公司 CMP 產(chǎn)品作為集成電路前道制造的關鍵工藝設備之一，獲得了更多客戶的肯定并實現(xiàn)了多次批量銷售。公司的 CMP 設備憑借先進的產(chǎn)品性能、卓越的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)秀的售后服務在邏輯芯片、存儲芯片、先進封裝、大硅片、MEMS、SiC 等第三代半導體等領域取得了良好的市場口碑，市場占有率不斷突破，客戶覆蓋中芯國際、華虹集團、長江存儲、睿力集成等一二線主要 Fab 廠。
華海清科面向第三代半導體等客戶的 Universal-150Smart 可兼容 6-8 英寸各種半導體材料拋光，已小批量出貨。同時，面向第三代半導體客戶的新機型正在積極研發(fā)中，預計 2024 年發(fā)往客戶驗證。
https://www.tsd-semicon.com/
北京特思迪半導體設備有限公司，是一家擁有自主知識產(chǎn)權的國家高新技術企業(yè)，專注于半導體領域超精密平面加工設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。特思迪以更平、更薄、更可靠為技術導向，深耕半導體襯底材料、晶圓制造、半導體器件、先進封裝、MEMS等領域的超精密平面加工技術，形成了技術領先，性能優(yōu)越，工藝穩(wěn)定的核心技術優(yōu)勢，可提供減薄、拋光、CMP的系統(tǒng)解決方案和工藝設備。
特思迪成功研制出8英寸碳化硅全自動減薄設備并切入市場，8英寸雙面拋光設備已通過工藝測試，進入量產(chǎn)階段。
蘇州赫瑞特電子專用設備科技有限公司（原蘭州瑞德設備制造有限公司）前身國營蘭州風雷機械廠（國營4502廠）是成立于1969年的軍工企業(yè)，是由蘭州赫瑞特集團于2010年6月投資的以研發(fā)、生產(chǎn)、銷售切割、研磨、拋光等專用設備及輔助產(chǎn)品、整體解決方案的高科技企業(yè) 。產(chǎn)品應用涉及半導體、太陽能、藍寶石、碳化硅、光學光電子、化合物半導體、晶體、陶瓷、金屬元件、磁性材料等多個行業(yè)。
赫瑞特雙面研磨拋光設備上已形成了多個機型的生產(chǎn)配套能力，如32B、24B、22B、20B、16B、12B、9B、（6S）、6B、4B 等產(chǎn)品；在單面拋光及減薄設備上先后研制開發(fā)了X62 305、X62 36D、X62 50D X62 59D型拋光機。
單面拋光305、36D、50D系列主要適用于半導體硅片、藍寶石、碳化硅、砷化鎵、光學玻璃等硬脆材料的高精度單面拋光加工。
晶盛機電圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開發(fā)一系列關鍵設備，并延伸至化合物襯底材料領域，為半導體、光伏行業(yè)提供全球極具競爭力的高端裝備和高品質(zhì)服務。
晶盛機電是全球光伏裝備技術和規(guī)模雙領先的企業(yè)，國內(nèi)集成電路級8-12英寸大硅片生長及加工設備領先企業(yè)，公司大尺寸藍寶石晶體生長工藝和技術已達到國際領先水平，是掌握核心技術和規(guī)模優(yōu)勢的龍頭企業(yè)。公司為半導體產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)和化合物襯底產(chǎn)業(yè)提供智能化工廠解決方案，滿足客戶數(shù)字化智能化的生產(chǎn)模式需求。
基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，晶盛機電在功率半導體領域開發(fā)了 6-8 英寸碳化硅長晶設備、切片設備、減薄設 備、拋光設備及外延設備。
湖南宇晶機器股份有限公司是于1998年成立的科技型企業(yè)，公司主要從事多線切割機、研磨拋光機等硬脆材料加工設備、金剛石線、熱場系統(tǒng)及光伏硅片系列產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
2024年，宇晶股份推出 YJ-SP1500A，專為8英寸碳化硅雙面拋光開發(fā)，可用于碳化硅襯底、藍寶石襯底、及其他硬脆材料。宇晶股份掌握碳化硅切磨拋裝備一體化解決方案。
上海致領半導體科技發(fā)展有限公司成立于2011年，是精密平面加工全面解決方案的專業(yè)供應商，在精密平面研磨、拋光和精密磨削應用領域為客戶提供代表先進水平的設備、耗材以及工藝技術服務。
致領半導體在2023年完成了專用于6寸和8寸碳化硅晶片高效率和高精度拋光的重型化學機械拋光機HCP-1280R2-SIA的開發(fā)，能實現(xiàn)超過10PSI的拋光壓力，設備具有壓力頭往復擺動功能以及分區(qū)加壓功能，可以獲得優(yōu)異的產(chǎn)品精度。
致領客戶包括中核集團、中芯國際、中電科集團、中航集團等，產(chǎn)品還出口到歐洲、美國、中東、南非等多個國家和地區(qū)。
杭州眾硅電子科技有限公司是一家高端化學機械平坦化拋光(CMP)設備公司，為半導體行業(yè)及其他高科技領域提供優(yōu)質(zhì)技術和高效服務。眾硅科技由來自硅谷的半導體設備和工藝專家組成的研發(fā)團隊，于2018年在中國杭州創(chuàng)立。公司集聚了國內(nèi)外高端人才，擁有強大的專業(yè)技術研發(fā)團隊，為芯片生產(chǎn)廠商提供CMP設備、優(yōu)質(zhì)的技術和高效的服務。
眾硅科技推出了針對碳化硅襯底的CMP設備（TNTAS?ECMP），該設備擁有獨特的碳化硅化學機械拋光工藝，且無需強氧化劑，工藝條件溫和，工藝結果優(yōu)秀；TNTAS?ECMP為全自動CMP設備，無需封蠟/貼膜，不僅去除率高、產(chǎn)能高、綜合運營成本（COO）低，且化學尾液處理更簡便環(huán)保。
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