天岳先進自成立以來已獲得了6輪融資，獲得了國開行、中車時代、中微公司等龍頭投資。另外，天岳先進還是華為哈勃進軍第三代半導(dǎo)體所投資的第一家企業(yè)。據(jù)企查查消息顯示，華為哈勃投資金額為2726.25萬元，占股權(quán)的7%。
華為之后，公司又獲得了“寧王”的加持，前景一片大好。
目前，碳化硅主要應(yīng)用于以 5G 通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域。
“碳中和”、“碳達峰”下，國內(nèi)外已刮起碳化硅上車的風(fēng)潮。
此外，由于第三代半導(dǎo)體的下游工藝制程具有更高的包容性和寬容度，下游制造環(huán)節(jié)對設(shè)備的要求相對較低，投資額相對較小，制約第三代半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵之一在上游材料端——襯底，因此其已成為兵家必爭之地。
我們?nèi)裟茉谝r底行業(yè)實現(xiàn)突破，將有望在半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)換道超車。
TrendForce集邦咨詢指出，SiC襯底作為產(chǎn)業(yè)鏈最關(guān)鍵環(huán)節(jié)，Wolfspeed/SiCrystal(Rohm)/ II-VI等國際大廠占據(jù)了絕大部分市場份額，其中Wolfspeed位于美國北卡羅萊納州的8吋SiC襯底產(chǎn)線預(yù)計將在2022年上半年開始產(chǎn)能爬坡。
天科合達/山東天岳/爍科晶體/同光晶體等中國廠商開始嶄露頭角，但主流尺寸仍停留在4吋，6吋剛剛步入量產(chǎn)，與國際巨頭差距不小。
天岳先進是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的龍頭企業(yè)，目前能夠供應(yīng)2英寸~6英寸的單晶襯底。
在半絕緣型SiC襯底領(lǐng)域，天岳先進產(chǎn)品電阻率已實現(xiàn)108Ω·cm以上，電學(xué)性能達到較高水平，已批量且穩(wěn)定地供應(yīng)給通信行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，用于其新一代信息通信射頻器件的制造。據(jù)相關(guān)統(tǒng)計，2019/2020年，天岳先進已躋身半絕緣型SiC襯底市場世界前三。
據(jù)招股書，天岳先進本次擬募資20億元，在上海臨港新片區(qū)建設(shè)SiC襯底生產(chǎn)基地，以滿足不斷擴大的碳化硅半導(dǎo)體襯底材料的需求。該項目建設(shè)期為6年，自2020年10月開始前期準(zhǔn)備，計劃于2022年試生產(chǎn)，預(yù)計2026年100%達產(chǎn)。（文：化合物半導(dǎo)體市場 Amber）
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