據(jù)德州儀器官方消息,其位于德克薩斯州謝爾曼 (Sherman) 的全新 12 英寸半導體晶圓制造基地于5月19日正式破土動工。
據(jù)介紹,此項目投資約 300 億美元,計劃建造四座工廠以滿足長期的市場需求。這些新工廠每天將制造數(shù)千萬顆模擬和嵌入式處理芯片,廣泛地應用于全球市場的各類電子產(chǎn)品領域。
該基地的首座工廠預計于 2025 年開始投產(chǎn)。晶圓制造基地將加入 TI 現(xiàn)有的 12 英寸晶圓制造廠陣營,包括德州達拉斯 (Dallas) DMOS6;位于德州理查森 (Richardson) 的 RFAB1 和即將竣工并預計于 2022 年下半年開始投產(chǎn)的 RFAB2;以及位于猶他州李海 (Lehi) 預計于 2023 年初投產(chǎn)的 LFAB。
德州儀器持續(xù)加大產(chǎn)能投資,其位于中國成都的生產(chǎn)制造基地集晶圓制造、封裝、測試、凸點加工和晶圓測試為一體,目前正在擴建第二座封裝/測試廠房。

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