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5月24日，三星發(fā)布創(chuàng)新增長未來投資計劃。計劃在未來五年內(nèi)向半導(dǎo)體、生物、IT（下一代通信、AI）等未來創(chuàng)新增長領(lǐng)域投資450萬億韓元，其中360 萬億韓元用于韓國本土投資。與過去五年投資的 330 萬億韓元相比，增加了 120 萬億韓元。

三星計劃450 萬億韓元加碼半導(dǎo)體、IT等領(lǐng)域

三星將進一步鞏固在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，擴大對新材料、結(jié)構(gòu)的研發(fā)，引進尖端極紫外光刻（EUV）技術(shù)，進一步提升高性能/低功耗半導(dǎo)體應(yīng)用處理器（AP）及5G/6G等高速通訊、高清圖像傳感器等領(lǐng)域的競爭力，盡快實現(xiàn)3nm制程半導(dǎo)體的量產(chǎn), 到 2022 年實現(xiàn)應(yīng)用環(huán)繞式閘極晶體管GAA（Gate-All-Around）技術(shù)。此外，三星計劃加大人才培養(yǎng)，促進產(chǎn)學(xué)研合作。

原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：三星計劃450 萬億韓元加碼半導(dǎo)體、IT等領(lǐng)域

作者 li, meiyong

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