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寬帶隙化合物半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者貳陸公司(Nasdaq: IIVI)宣布,它完成了一項多年的合同,向英飛凌科技公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)提供用于電力電子的150毫米碳化硅(SiC)基片。
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II-VI Incorporated向英飛凌提供用于電力電子的150mm SiC基片
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電動汽車(EV)市場的飛速增長推動了電動汽車動力系統(tǒng)、車載電池充電裝置和充電基礎(chǔ)設(shè)施對基于SiC的電力電子設(shè)備的需求。與最先進(jìn)的硅基器件相比,SiC使電力電子器件更小、更高效,而且系統(tǒng)級總成本更低。通過這份合同,英飛凌正在采取戰(zhàn)略措施,確保其150毫米SiC基板的供應(yīng)。II-VI 和英飛凌還將合作向200毫米SiC基板過渡。
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"英飛凌作為功率半導(dǎo)體的市場領(lǐng)導(dǎo)者,是我們的重要合作伙伴,"II-VI ,新風(fēng)險投資和寬帶電子技術(shù)執(zhí)行副總裁Sohail Khan說。"我們高度專業(yè)化的產(chǎn)品現(xiàn)在正幫助英飛凌向全球主要客戶提供創(chuàng)新的電子元件。"
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"SiC化合物半導(dǎo)體在功率密度和效率方面設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)。我們正在利用它們來實現(xiàn)我們的去碳化和數(shù)字化戰(zhàn)略,"英飛凌首席采購官Angelique van der Burg說。"英飛凌正在增加對其SiC制造能力的投資,以滿足我們客戶快速增長的需求。我們很高興將II-VI 加入我們的戰(zhàn)略供應(yīng)商群,共同發(fā)展我們的業(yè)務(wù)。"
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II-VI 2022年3月宣布,它正在加快對150毫米和200毫米SiC襯底制造的投資,在賓夕法尼亞州伊斯頓的近30萬平方英尺的工廠進(jìn)行大規(guī)模的工廠擴(kuò)建。通過這次擴(kuò)建,II-VI ,到2027年將達(dá)到相當(dāng)于每年100萬塊150毫米襯底的產(chǎn)量,200毫米襯底的比例將隨著時間的推移而增長。
II-VI Incorporated向英飛凌提供用于電力電子的150mm SiC基片

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):II-VI Incorporated向英飛凌提供用于電力電子的150mm SiC基片

作者 li, meiyong

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