11月5日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司舉行總部大樓封頂儀式。
晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長兼總裁程凱表示，晶湛半導(dǎo)體自成立以來一直致力于第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，牢牢扎根園區(qū)，十年磨一劍。晶湛半導(dǎo)體新總部大樓基礎(chǔ)工程自2021年12月2日奠基開工以來，在建設(shè)單位不懈努力下，在蘇州納米城和政府相關(guān)部門大力支持和嚴(yán)格監(jiān)管下，最終高品質(zhì)完成項目主體建設(shè)。此后，晶湛半導(dǎo)體必將牢牢把握市場機(jī)遇，加速推進(jìn)晶湛半導(dǎo)體總部和基地建設(shè)，賦能行業(yè)高速發(fā)展，進(jìn)一步提高我國在第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料上的競爭優(yōu)勢。
據(jù)了解，該項目建成后，將成為國內(nèi)規(guī)模最大的GaN電力電子材料、射頻材料和微顯示材料的生產(chǎn)基地。
晶湛半導(dǎo)體成立于2012年，是蘇州納米城第一批入駐企業(yè)，現(xiàn)已成長為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的代表性企業(yè)。公司聚焦第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn)，是目前國際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。近年來，晶湛半導(dǎo)體加速開展技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品迭代，接連取得突破性成果，8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品全球發(fā)布，成功填補(bǔ)我國氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白；突破用于200V、650V和1200V功率應(yīng)用的高質(zhì)量12寸硅基電力電子氮化鎵外延片，再次獲得國際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評。
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