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納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

11月7日,據(jù)投資者關(guān)系活動(dòng):

Q: 今年前三季度新產(chǎn)品的布局及進(jìn)展情況?

納芯微:功率器件方面,公司已經(jīng)發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品,并逐步進(jìn)行客戶送樣和驗(yàn)證工作,公司布局功率器件的思路還是圍繞著目標(biāo)市場(chǎng)和應(yīng)用,補(bǔ)全在客戶端的產(chǎn)品布局,目標(biāo)是為客戶提供完整的芯片級(jí)解決方案。

納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

納芯微表示,今年新能源汽車(chē)滲透率仍在穩(wěn)步提升,行業(yè)由缺芯到不缺芯。汽車(chē)電動(dòng)化和智能化持續(xù)發(fā),汽車(chē)芯片的需求不斷增加。PCIM Asia展上,納芯微展示了汽車(chē)電子核心應(yīng)用領(lǐng)域等SiC系列產(chǎn)品。

納芯微擁有豐富的車(chē)規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)品定義、開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),并在大量主流整車(chē)廠/汽車(chē)一級(jí)供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)批量裝車(chē)。與此同時(shí),納芯微不斷拓展其汽車(chē)應(yīng)用的產(chǎn)品組合,如應(yīng)用于汽車(chē)主驅(qū)電機(jī)電流檢測(cè)的磁電流傳感器,同時(shí)也在積極開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。根據(jù)公司2023半年度報(bào)告,納芯微汽車(chē)電子領(lǐng)域收入占營(yíng)收26.28%,較去年年度占比提升約3個(gè)百分點(diǎn)。

納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

圖源:納芯微電子公眾號(hào)

2023年7月10 日,納芯微全新發(fā)布1200V系列SiC二極管。

該系列產(chǎn)品專為光伏、儲(chǔ)能、充電等工業(yè)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。其在單相或三相PFC、隔離或非隔離型DC-DC電路中均能展現(xiàn)出卓越的效率特性,完美滿足中高壓系統(tǒng)的需求。

納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

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納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

SiC二極管相較于傳統(tǒng)硅基二極管具備明顯優(yōu)勢(shì)

 

1.幾乎零反向恢復(fù)電流

如下圖所示,SiC二極管的反向恢復(fù)電流幾乎為零,明顯優(yōu)于Si基并且該電流的大小不受正向?qū)娏鳌㈥P(guān)斷速度(di/dt)和結(jié)溫的影響。

納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

2.提高開(kāi)關(guān)頻率
SiC二極管具備優(yōu)異的反向恢復(fù)特性,可與高頻開(kāi)關(guān)器件配合使用,提高開(kāi)關(guān)頻率,從而減小系統(tǒng)整體的體積和成本。
3.較低的正向?qū)妷?/span>
相較于1200V的硅基二極管,SiC二極管采用肖特基結(jié)構(gòu),具備較低的正向?qū)妷骸?/section>
4.更好的EMI結(jié)果
SiC二極管的較小反向恢復(fù)電流能夠帶來(lái)更好的EMI性能。

5.優(yōu)秀的導(dǎo)熱性能

SiC材料擁有更好的導(dǎo)熱效果,有利于降低結(jié)溫,進(jìn)而提高系統(tǒng)的可靠性。

 

如下圖所示,納芯微的SiC二極管采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),與傳統(tǒng)的JBS結(jié)構(gòu)相比,具有顯著優(yōu)勢(shì)。MPS結(jié)構(gòu)中的PN結(jié)構(gòu)在大電流下更容易開(kāi)啟,通過(guò)向高電阻的漂移區(qū)注入少數(shù)載流子形成電導(dǎo)調(diào)節(jié)效應(yīng),從而顯著降低漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻。在保持器件正向?qū)妷翰蛔兊那闆r下,器件的抗浪涌電流能力得到顯著增強(qiáng)。 

納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

納芯微SiC二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖

 

納芯微NPD020N120A SiC二極管在額定電流下的正向?qū)妷簩?shí)測(cè)典型值為1.39V,而單次浪涌電流的實(shí)測(cè)典型值可以達(dá)到220A,是正向額定電流的11倍,性能優(yōu)于行業(yè)水平。

 

這意味著納芯微的SiC二極管具有更低的正向?qū)妷海瑫r(shí)在面對(duì)瞬態(tài)高電流沖擊時(shí),具備更強(qiáng)的抗浪涌能力。這種性能優(yōu)勢(shì)使得納芯微的SiC二極管在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色,為系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性提供了重要保障。

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# SiC MOSFET 發(fā)布預(yù)告

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除了SiC二極管產(chǎn)品外,納芯微也在積極研發(fā)和驗(yàn)證1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,并將于近期推出。納芯微的SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過(guò)全面的車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證,以確保完全符合汽車(chē)級(jí)應(yīng)用的要求。

 

納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

 

納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品
納芯微電子(簡(jiǎn)稱納芯微,科創(chuàng)板股票代碼688052)是高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司。自2013年成立以來(lái),公司聚焦傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向,提供豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案,并被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)、信息通訊及消費(fèi)電子領(lǐng)域。
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?資料來(lái)源:納芯微電子公眾號(hào)

原文始發(fā)于微信公眾號(hào)(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):納芯微:已發(fā)布SiC二極管和MOSFET 產(chǎn)品

作者 li, meiyong

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