近日，瑤光半導(dǎo)體激光退火設(shè)備經(jīng)客戶新產(chǎn)線調(diào)試驗(yàn)證，確認(rèn)符合量產(chǎn)要求。良率超過預(yù)期，順利通過驗(yàn)收！
該設(shè)備已在客戶新產(chǎn)線投入生產(chǎn)使用，該產(chǎn)線計(jì)劃年產(chǎn)一億顆功率芯片和1萬片6英寸SiC外延片，同時(shí)包括“10萬片碳化硅外延片及JBS、MOSFET功率集成電路”。
瑤光半導(dǎo)體自主研發(fā)的SiC/Si基激光退火設(shè)備，廣泛應(yīng)用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個(gè)工藝。其微秒級(jí)的控制系統(tǒng)、晶圓厚度測(cè)量功能以及出色的光學(xué)整形裝置，為晶圓的退火工藝提供了高效的解決方案。
本次設(shè)備驗(yàn)收，標(biāo)志著“瑤光半導(dǎo)體激光退火項(xiàng)目”通過了開發(fā)流程ESDP的最后一個(gè)里程碑（PP閥點(diǎn)）。從設(shè)備產(chǎn)業(yè)化的維度，進(jìn)一步驗(yàn)證了ESDP正向開發(fā)流程的有效性和可靠性。同時(shí)，也為瑤光半導(dǎo)體MOCVD和RTP快速退火等新項(xiàng)目的正向開發(fā)提供了可靠的研發(fā)理論基礎(chǔ)。后續(xù)，公司將不斷加大在研發(fā)方面的投入，助力實(shí)現(xiàn)我國在半導(dǎo)體事業(yè)“彎道超車”的目標(biāo)。
關(guān)于瑤光半導(dǎo)體Company information
瑤光半導(dǎo)體(浙江)有限公司，成立于2023年4月，產(chǎn)研基地位于浙江湖州。公司專注于半導(dǎo)體先進(jìn)制程設(shè)備正向研發(fā)。致力于成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先鋒，賦能半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化。目前，產(chǎn)研基地二期工廠建設(shè)中，上海研發(fā)及市場(chǎng)中心計(jì)劃年內(nèi)落成。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：瑤光半導(dǎo)體激光退火設(shè)備通過驗(yàn)收！計(jì)劃年產(chǎn)一億顆功率芯片
