
汽車級(jí)DCM碳化硅MOSFET系列模塊PcoreTM2是基本半導(dǎo)體專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的一款高功率密度的碳化硅功率模塊
該產(chǎn)品為業(yè)內(nèi)主流DCM封裝模塊,采用先進(jìn)的有壓型銀燒結(jié)工藝和高性能粗銅線鍵合技術(shù),使用氮化硅AMB陶瓷基板,以及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)。產(chǎn)品具有低動(dòng)態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點(diǎn),可支持連續(xù)運(yùn)行峰值結(jié)溫至175℃,以及具備650Arms以上連續(xù)峰值相電流輸出。
溝槽型、低RDS(on) 碳化硅MOSFET芯片

深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳,在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì),核心成員包括二十余位來自清華大學(xué)、中國科學(xué)院、英國劍橋大學(xué)、德國亞琛工業(yè)大學(xué)、瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院等國內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士。
基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù),研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)兩百余項(xiàng),核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,服務(wù)于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。
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