3月22日，賽晶科技發(fā)布2023年度業(yè)績(jī)報(bào)告稱，截至2022年12月31日止年度的約917.8百萬(wàn)元增加約14.9%至截至2023年12月31日止年度的約1,054.7百萬(wàn)元，主要由于輸配電領(lǐng)域收入增加所致。
銷售成本由截至2022年12月31日止年度的約656.4百萬(wàn)元增加約9.6%至截至2022年12月31日止年度的約719.2百萬(wàn)元，主要由于收入增加所致。
毛利由截至2022年12月31日止年度的約261.4百萬(wàn)元增加約28.3%至截至2023年12月31日止年度的約335.5百萬(wàn)元，主要由于收入增加和高毛利產(chǎn)品比重增加所致。
毛利率由截至2022年12月31日止年度約28.5%增加至截至2023年12月31日止年度的約31.8%，主要由于高毛利產(chǎn)品比重增加所致。
其他收入及收益由截至2022年12月31日止年度的約69.7百萬(wàn)元減少約3.4%至截至2023年12月31日止年度的約67.3百萬(wàn)元，主要由于匯兌收益減少所致。
研發(fā)成本由截至2022年12月31日止年度的約90.1百萬(wàn)元增加約26.1%至截至2023年12月31日止年度的約113.6百萬(wàn)元，主要由于自產(chǎn)IGBT和儲(chǔ)能集成母排等產(chǎn)品的研發(fā)成本增加所致。
另外，存貨由2022年12月31日的約163.1百萬(wàn)元增加約41.0%至2023年12月31日的約229.9百萬(wàn)元，主要由于本期末備貨增加所致。
2023年，賽晶科技已推出1700VIGBT及FRD芯片，ST封裝IGBT模塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝IGBT模塊等多款新產(chǎn)品。此外，賽晶科技啟動(dòng)了電壓為1200V和1700V，包含SiIGBT和SiCMOSFET的多個(gè)系列芯片和模塊研發(fā)，有望于2024年內(nèi)陸續(xù)推出。多款新產(chǎn)品的推出將豐富賽晶科技自主研發(fā)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品種類，并進(jìn)一步覆蓋電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電、SVG、伺服電機(jī)等市場(chǎng)的需求。
2023年，由于客戶減少了ED封裝IGBT模塊用量，增加了乘用車專用型IGBT模塊用量，而賽晶科技已推出的乘用車專用型EVD封裝IGBT模塊尚在客戶驗(yàn)證階段，導(dǎo)致本集團(tuán)于該領(lǐng)域的收入較2022年下降約72%。
i20 IGBT/d20 二極管芯片組（來源：賽晶科技）
面向2024年，賽晶科技表示，本集團(tuán)將全力推進(jìn)乘用車專用型EVD封裝IGBT模塊和HEEV封裝SiC模塊的客戶驗(yàn)證工作，力爭(zhēng)盡早完成客戶驗(yàn)證從而提升產(chǎn)品在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的銷量。
電力電子電容器方面，賽晶科技的直流支撐電容器（歸類為電力電子電容器）已成功應(yīng)用于張北柔性直流電網(wǎng)示范工程、隨州廣水100%新能源新型電力系統(tǒng)科技示范工程、杭州220千伏柔性低頻輸電示范工程、三峽如東海上風(fēng)電柔性直流輸電示范工程等項(xiàng)目。2023年，賽晶科技的直流支撐電容器成功應(yīng)用于沙特、智利、菲律賓等海外SVG項(xiàng)目。于二零二四年一月，順利通過國(guó)家級(jí)新產(chǎn)品技術(shù)鑒定，為實(shí)現(xiàn)批量國(guó)產(chǎn)替代奠定了良好基礎(chǔ)。
來源：集微網(wǎng)
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：賽晶科技2023年?duì)I收為10.55億元，自研IGBT致研發(fā)費(fèi)用同比增長(zhǎng)26.1%