4月13日，晶盛機(jī)電發(fā)布了2023年年度報(bào)告，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入179.83億元，同比增長(zhǎng)69.04%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)45.58億元，同比增長(zhǎng)55.85%；另外晶盛成功研制出8英寸單片式和雙片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備。
根據(jù)晶盛2023年報(bào)披露，晶盛機(jī)電一直貫徹“先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備”的發(fā)展戰(zhàn)略，在半導(dǎo)體設(shè)備方面，主要分為硅片制造、芯片制造、封裝制造三大主要環(huán)節(jié)設(shè)備，并延伸開(kāi)發(fā)出了應(yīng)用于 8-12 英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD 設(shè)備、ALD 設(shè)備等，以及應(yīng)用于功率半導(dǎo)體的 6-8 英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備；在材料方面，逐步發(fā)展了碳化硅材料等具有廣闊應(yīng)用場(chǎng)景的材料業(yè)務(wù)。?
報(bào)告期間，晶盛機(jī)電在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，先后成功研發(fā) 8 英寸及 12 英寸常壓硅外延生長(zhǎng)設(shè)備并實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售，以及具有國(guó)際先進(jìn)水平的 8 英寸單片式和雙片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備，在 6 英寸外延設(shè)備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術(shù)基礎(chǔ)上，解決了腔體設(shè)計(jì)中的溫場(chǎng)均勻性、流場(chǎng)均勻性等控制難題，雙片式外延設(shè)備集成了多溫場(chǎng)協(xié)同感應(yīng)加熱及流場(chǎng)分區(qū)控制等核心技術(shù)，具備單腔同時(shí)加工 2 片晶圓的能力，可以 在保證高外延生長(zhǎng)品質(zhì)的同時(shí)，極大提升設(shè)備的單位產(chǎn)能，有效降低碳化硅外延片生產(chǎn)成本。成功開(kāi)發(fā)應(yīng)用于碳化硅襯底片和外延片量檢測(cè)的光學(xué)量測(cè)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)碳化硅量檢測(cè)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化。
8英寸單片式硅外延生長(zhǎng)爐
在材料板塊，持續(xù)加強(qiáng)大尺寸碳化硅材料的研發(fā)，推動(dòng)技術(shù)和工藝創(chuàng)新，碳化硅材料長(zhǎng)晶及加工的技術(shù)和工藝持續(xù)成熟，良率快速提升，建設(shè)并投產(chǎn)“年產(chǎn) 25 萬(wàn)片 6 英寸、5 萬(wàn)片 8 英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”，加快推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化步伐，6 英寸和 8 英寸量產(chǎn)晶片的核心質(zhì)量參數(shù)達(dá)到行業(yè)一流水平，獲得了國(guó)內(nèi)外客戶(hù)的一致認(rèn)可，并實(shí)現(xiàn)批量出貨。
研發(fā)投入上，有5項(xiàng)碳化硅相關(guān)項(xiàng)目目前處于驗(yàn)證階段，1項(xiàng)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2024年經(jīng)營(yíng)計(jì)劃
截至2023年末，晶盛機(jī)電的資產(chǎn)構(gòu)成發(fā)生重大變動(dòng)，其中在建工程投入了約18億元，主要系半導(dǎo)體設(shè)備及碳化硅材料等新項(xiàng)目投入增加。2024年晶盛機(jī)電將加強(qiáng)研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新，大力拓展新產(chǎn)品；持續(xù)加強(qiáng)大尺寸碳化硅襯底等的研發(fā)創(chuàng)新，材料方面持續(xù)推動(dòng)大尺寸碳化硅材料的技術(shù)和工藝創(chuàng)新，提升良率，降低成本，提升盈利能力。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：晶盛機(jī)電：2023年?duì)I收179.83億元，8英寸SiC外延爐已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
