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電子科技大學(xué)劉奧、朱慧慧
在Nature上發(fā)表論文
新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域
取得重大突
4月10日,電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院劉奧教授和物理學(xué)院朱慧慧研究員的最新研究成果以“Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors”為題上線Nature“加速預(yù)覽”(Accelerated Article Preview,AAP)。

電子科技大學(xué)Nature:在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

AAP作為Nature雜志的提前在線發(fā)布形式之一,是對(duì)期刊編輯、同行科學(xué)家認(rèn)為的具有重大科學(xué)意義研究成果的加速報(bào)道。該項(xiàng)研究首創(chuàng)高遷移率穩(wěn)定的非晶P型(空穴)半導(dǎo)體器件,突破該領(lǐng)域二十余年的研究瓶頸,將進(jìn)一步推動(dòng)現(xiàn)代信息電子學(xué)和大規(guī)模互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)的發(fā)展。
該成果由電子科技大學(xué)和韓國(guó)浦項(xiàng)科技大學(xué)共同合作完成。論文第一單位為電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院,劉奧教授為論文第一作者和通訊作者,電子科技大學(xué)物理學(xué)院朱慧慧研究員和韓國(guó)浦項(xiàng)科技大學(xué)的Yong-Young Noh為論文共同通訊作者
 

相比于多晶半導(dǎo)體,非晶體系具有諸多優(yōu)勢(shì),如低成本、易加工、高穩(wěn)定性以及大面積制造均勻等。然而,傳統(tǒng)的非晶氫化硅因電學(xué)性能不足而急需探索新材料。自2004年首次基于非晶N型(電子)銦鎵鋅合金氧化物薄膜晶體管(TFT)報(bào)道以來(lái)(Nature 432, 488, 2004),極大推動(dòng)了半導(dǎo)體電子學(xué)和新一代信息顯示技術(shù)的發(fā)展。

然而,目前研發(fā)性能相當(dāng)?shù)姆蔷型半導(dǎo)體面臨著重大挑戰(zhàn),嚴(yán)重阻礙了新型電子器件研發(fā)和大規(guī)模N-P互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)的發(fā)展。傳統(tǒng)氧化物半導(dǎo)體因高局域態(tài)價(jià)帶頂和自補(bǔ)償效應(yīng),導(dǎo)致空穴傳輸效率極差,難以滿足應(yīng)用需求??蒲腥藛T因此投入大量精力開(kāi)發(fā)新型非氧化物P型半導(dǎo)體,但目前這些新材料只能在多晶態(tài)下展現(xiàn)一定的P型特性。此外,這些材料還存在穩(wěn)定性和均勻性等固有缺陷,且難以與現(xiàn)有工業(yè)制程工藝兼容。

電子科技大學(xué)Nature:在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

圖1 新型非晶碲(Te)基復(fù)合半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)和能帶解析
在過(guò)去二十余年里,領(lǐng)域科研人員不斷改進(jìn)和優(yōu)化“價(jià)帶軌道雜化理論”,嘗試實(shí)現(xiàn)高空穴遷移率的P型氧化物基半導(dǎo)體,但收效甚微。這也導(dǎo)致領(lǐng)域?qū)<移毡檎J(rèn)為,實(shí)現(xiàn)高性能的非晶P型半導(dǎo)體和CMOS器件是一項(xiàng)“幾乎不可能完成的挑戰(zhàn)”。
電子科技大學(xué)Nature:在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

圖2 基于新型非晶碲(Te)基復(fù)合半導(dǎo)體的器件分析

鑒于此,該團(tuán)隊(duì)提出了一種新穎的碲(Te)基復(fù)合非晶P型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)理念,并采用工業(yè)制程兼容的熱蒸鍍工藝實(shí)現(xiàn)了薄膜的低溫制備,證明了在高性能、穩(wěn)定的P溝道TFT器件和CMOS互補(bǔ)電路中的應(yīng)用可行性。通過(guò)理論分析,揭示了由碲5p軌道組成的高分散價(jià)帶頂和淺能級(jí)受體態(tài),為非晶體系下足量的空穴摻雜和有效空穴傳輸?shù)於酥匾A(chǔ)(圖1)。此外,進(jìn)一步的研究表明,硒合金化處理可以有效調(diào)節(jié)空穴濃度,實(shí)現(xiàn)了場(chǎng)效應(yīng)空穴遷移率達(dá)到15cm2/Vs和電流開(kāi)關(guān)比約為107的高性能P溝道TFT器件。

這些器件展現(xiàn)了良好的偏置應(yīng)力環(huán)境穩(wěn)定性,以及晶圓尺度的均勻性(圖2)。該碲基材料體系在性能上遠(yuǎn)優(yōu)于已報(bào)道的其他新興非晶P型半導(dǎo)體材料,并展現(xiàn)出卓越的經(jīng)濟(jì)性、穩(wěn)定性、可擴(kuò)展性和加工性,其制備工藝與工業(yè)生產(chǎn)線和后端集成技術(shù)完美兼容。這種復(fù)合相策略為設(shè)計(jì)新一代穩(wěn)定的非晶P型半導(dǎo)體材料帶來(lái)了新的啟發(fā)。這項(xiàng)研究將開(kāi)啟P型半導(dǎo)體器件的研究熱潮,并在建立商業(yè)上可行的非晶P溝道TFT技術(shù)和低功耗CMOS集成器件邁出了重要的一步。
劉奧教授團(tuán)隊(duì)以我國(guó)“十四五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃在電子信息、新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料等領(lǐng)域的戰(zhàn)略需求為牽引,以強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量為目標(biāo),致力于具有重要基礎(chǔ)前沿研究?jī)r(jià)值及重大產(chǎn)業(yè)化前景的新型高遷移率、高穩(wěn)定P型半導(dǎo)體材料及電子器件研究,持續(xù)助力我國(guó)新一代信息技術(shù)的跨越式發(fā)展。
論文鏈接https://www.nature.com/articles/s41586-024-07360-w
 

作者介紹

電子科技大學(xué)Nature:在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

劉奧,電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院教授、國(guó)家青年人才。研究聚焦于新型半導(dǎo)體信息材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)制程兼容的電子薄膜和功能器件集成,在新型P型半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)和薄膜晶體管(TFT)集成方向做出系列開(kāi)拓、原創(chuàng)性成果,過(guò)去10年持續(xù)推進(jìn)該領(lǐng)域研究進(jìn)展。以第一/通訊作者(含共同)在Nature, Science, Nature Electronics, Nature Communications等期刊發(fā)表論文50余篇,封面論文8篇。論文被引用4800余次,h因子40。授權(quán)中、韓發(fā)明專(zhuān)利10余項(xiàng)。獲得了多項(xiàng)重要獎(jiǎng)項(xiàng),如Gordon Research Conferences“最佳論文獎(jiǎng)”(2022年,亞太地區(qū)唯一獲獎(jiǎng)?wù)撸袊?guó)政府優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng),韓國(guó)信息顯示協(xié)會(huì)“青年領(lǐng)袖獎(jiǎng)”等。

電子科技大學(xué)Nature:在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

朱慧慧,電子科技大學(xué)物理學(xué)院特聘研究員、博士生導(dǎo)師。主要研究興趣包括鈣鈦礦薄膜晶體管等電子器件、新型半導(dǎo)體材料、中長(zhǎng)波紅外探測(cè)等。迄今共發(fā)表論文70余篇,其中以第一/通訊作者(含共同)在Nature,Nature Electronics,Nature Communications,Advanced Materials等期刊發(fā)表論文30余篇,封面論文7篇。論文被引用3700余次,h因子34。曾獲多項(xiàng)重要獎(jiǎng)項(xiàng),如第十七屆“春暉杯”中國(guó)留學(xué)人員創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽優(yōu)勝獎(jiǎng)、韓國(guó)三星“產(chǎn)研結(jié)合獎(jiǎng)”,美國(guó)寰宇顯示“技術(shù)先驅(qū)獎(jiǎng)”、中國(guó)政府優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)、韓國(guó)信息顯示協(xié)會(huì)獎(jiǎng)、浦項(xiàng)制鐵亞洲獎(jiǎng)學(xué)金(POSCO Asia Fellowship)、Ruth L. Satter Fellowship(杰出女性科學(xué)家獎(jiǎng)學(xué)金)等。

?來(lái)源:電子科技大學(xué)

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作者 li, meiyong

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