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5月13日，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，ST）和 MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。
RF GaN-on-Si為 5G 和 6G 基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長(zhǎng)期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) 主導(dǎo)了早期射頻功率放大器 (PA)。對(duì)于這些射頻功率放大器，GaN 可以提供比 LDMOS 更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅 (SiC) 晶片上制造。由于高功率應(yīng)用對(duì) SiC 晶圓的競(jìng)爭(zhēng)以及其非主流半導(dǎo)體加工，RF GaN-on-SiC 可能會(huì)更昂貴。另一方面，意法半導(dǎo)體和 MACOM 正在開發(fā)的 GaN-on-Si 技術(shù)有望通過集成到標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝流程中實(shí)現(xiàn)巨大的規(guī)模經(jīng)濟(jì)，具有競(jìng)爭(zhēng)力。
意法半導(dǎo)體制造的原型晶圓和器件已實(shí)現(xiàn)成本和性能目標(biāo)，使其能夠有效地與市場(chǎng)上現(xiàn)有的LDMOS 和 GaN-on-SiC 技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。這些原型現(xiàn)在正在邁向下一個(gè)重要里程碑——認(rèn)證和工業(yè)化，意法半導(dǎo)體的目標(biāo)是在 2022 年實(shí)現(xiàn)這一里程碑。隨著這一進(jìn)展，意法半導(dǎo)體和 MACOM 已經(jīng)開始進(jìn)一步研究以加快向市場(chǎng)交付先進(jìn)射頻 GaN-on-Si 產(chǎn)品的速度。
意法半導(dǎo)體功率晶體管子集團(tuán)總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁 Edoardo Merli 表示：“我們相信，該技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了性能水平和工藝成熟度，可以有效地挑戰(zhàn)現(xiàn)有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC，我們可以為包括無線基礎(chǔ)設(shè)施、商業(yè)化在內(nèi)的大批量應(yīng)用提供成本和供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)，將RF GaN-on-Si產(chǎn)品商業(yè)化是我們與 MACOM 合作的下一個(gè)重要里程碑，隨著不斷的進(jìn)步，我們期待著充分發(fā)揮這一激動(dòng)人心的技術(shù)的潛力?！?/section>
MACOM 總裁兼首席執(zhí)行官Stephen G. Daly 表示：“我們一起在推動(dòng)GaN-on-Si 技術(shù)走向商業(yè)化和大批量生產(chǎn)方面繼續(xù)取得良好進(jìn)展，我們與 ST 的合作是我們射頻功率戰(zhàn)略的重要組成部分，我相信我們可以在GaN-on-Si技術(shù)滿足要求的目標(biāo)應(yīng)用中贏得市場(chǎng)份額?！?/section>
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型
