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據(jù)外媒報道,DB HiTek 計劃將在位于忠清北道陰城郡甘谷面的 8 英寸半導體工廠 (fab) 建設下一代功率半導體生產(chǎn)線。目標是在 2025 年內(nèi)生產(chǎn)和供應第一款 1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET。目前,該公司正在測試和生產(chǎn)6英寸功率半導體。
在最近的韓國半導體與顯示技術學會 20 周年紀念活動上,DB HiTek 副主席 Choi Chang-sik Choi 表示:"我們將在陰城相宇工廠開始生產(chǎn) SiC 8 英寸功率半導體。" 他補充說:"我們將向全球汽車制造商供應 1200V SiC 半導體產(chǎn)品。"
DB HiTek計劃建8英寸SiC半導體生產(chǎn)線
DB HiTek 是韓國最大的 8 英寸晶圓制造商,在京畿道富川工廠和忠清北道上宇工廠生產(chǎn) 8 英寸硅基半導體芯片,生產(chǎn)國內(nèi)外客戶設計的功率半導體、模擬、圖像傳感器和顯示驅(qū)動IC(DDI)??偖a(chǎn)能為138,000張,其中富川工廠每月80,000張,陰城工廠每月58,000張。預計將利用相宇工廠的閑置空間構(gòu)建下一代SiC半導體基礎設施。
1200V MOSFET是一種功率半導體。應用于家電、航空、能源等各行各業(yè)。尤其是在電動汽車市場,對 SiC 半導體的需求正在迅速增加,因此備受關注。Wolfspeed、Two-Six、ON Semiconductor等全球功率半導體公司都在準備生產(chǎn)8英寸產(chǎn)品。Yes Power Technix、Power Cube Semi、KEC等國內(nèi)功率半導體企業(yè)也在推進6英寸及更大產(chǎn)品的生產(chǎn)。
信息來源:etnews

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作者 li, meiyong

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