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8月8日上午,成都高投集團下屬成都高新西區(qū)發(fā)展建設有限公司舉行高端功率半導體器件和組件研發(fā)及產業(yè)化建設項目“四證齊發(fā)”暨開工儀式,成都高投芯未半導體有限公司負責人一次性領取了《建設用地規(guī)劃許可證》《建設工程規(guī)劃許可證》《建筑工程施工許可證》以及《不動產權證書》“四證”,僅用時5天,全面刷新項目拿地建設時間記錄,隨即啟動快速建設工作,預計明年8月即可建成投產。

 

總投資10億元,芯未科技IGBT項目開工
 

據介紹,該項目總投資10億元,占地面積約30畝,由成都高投芯未半導體有限公司(成都高新投資集團有限公司與成都森未科技有限公司合資設立的法人企業(yè))運營實施。主要從事IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等功率半導體芯片及產品的設計、開發(fā)、銷售,是我國IGBT芯片領域的重要創(chuàng)新力量。

 

總投資10億元,芯未科技IGBT項目開工
 

本次開工的高投芯未高端功率半導體器件及模組研發(fā)生產項目,是高新區(qū)圍繞集成電路細分領域引進的強鏈補鏈項目,通過整合成都本地優(yōu)質產業(yè)鏈資源,有助于加快構建競爭優(yōu)勢突出的現代產業(yè)體系。

 

總投資10億元,芯未科技IGBT項目開工

 

項目將建設2條晶圓背面加工封裝產線,建成投產后,將為森未科技在內的功率半導體設計企業(yè)提供IGBT特色授權委托加工服務,包括IGBT芯片、模組及方案組件產品等。項目分兩期建設,建成后將達到年產各類功率半導體器件和功率組件共 260.5萬只(套)的生產能力,實現年營收9億元、年稅收7000萬元。

 

信息來源:成都高投
 

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導體網):總投資10億元,芯未科技IGBT項目開工

作者 li, meiyong

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