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2022年7月12日,?氮化鎵(GaN)功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)VDD Tech,VDD Tech是用于下一代功率轉(zhuǎn)換的先進(jìn)數(shù)字隔離器的創(chuàng)造者。

 

納微半導(dǎo)體收購(gòu) VDD Tech,進(jìn)一步提升大功率下一代半導(dǎo)體能力

 

先進(jìn)的數(shù)字隔離技術(shù)對(duì)于在消費(fèi)類、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能、數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車等大功率市場(chǎng)中實(shí)現(xiàn)尺寸、重量和系統(tǒng)成本的改進(jìn)至關(guān)重要。VDD Tech的專有調(diào)制技術(shù)可在兆赫茲以上的開關(guān)速度下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、可靠、高效的電源轉(zhuǎn)換。

 

專有的 dV/dt 感測(cè)、消隱和刷新技術(shù)實(shí)現(xiàn)了前所未有的超高壓隔離能力與最高工作頻率的結(jié)合,要求 dV/dt 抗擾度比傳統(tǒng)硅高 5-10 倍。低隔離電容 (<0.5pF) 和創(chuàng)新、穩(wěn)健的調(diào)制為隔離驅(qū)動(dòng)器控制和模擬感應(yīng)反饋提供低抖動(dòng)數(shù)字通信。在所有溫度和工作條件下,獨(dú)特地地保證最低 200 V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。

 

納微半導(dǎo)體收購(gòu) VDD Tech,進(jìn)一步提升大功率下一代半導(dǎo)體能力

 

VDD Tech 創(chuàng)始人Vincent Dessard表示:“我們很高興能看到兩種突破性技術(shù)——優(yōu)化的數(shù)字隔離器和 GaN 功率芯片——的結(jié)合,帶來領(lǐng)先的高功率解決方案。高速和高可靠性是加速寬禁帶隙半導(dǎo)體替換傳統(tǒng)硅芯片,并獲予采用的關(guān)鍵因素。我們非常振奮能成為這場(chǎng)千載難逢的技術(shù)革命的催化劑,并將于2023年推出新的高功率產(chǎn)品?!?/p>

 

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示:“VDD Tech 的隔離技術(shù)是我們不斷增長(zhǎng)的電源和控制集成戰(zhàn)略的關(guān)鍵部分,創(chuàng)造了每年 10億美元的額外市場(chǎng)機(jī)會(huì)。我們將繼續(xù)研究和評(píng)估可以增強(qiáng)納微核心優(yōu)勢(shì)的新技術(shù),并在我們踐行“Electrify our World?”使命的同時(shí),帶來顯著的二氧化碳減排效益?!?/p>

 

來源:納微半導(dǎo)體

 

原文始發(fā)于微信公眾號(hào)(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):納微半導(dǎo)體收購(gòu) VDD Tech,進(jìn)一步提升大功率下一代半導(dǎo)體能力

作者 li, meiyong

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