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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT模塊生產(chǎn)工藝及設(shè)備一覽(收藏)

VDMOS功率器件工藝流程

是在功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VDMOS)的基礎(chǔ)上,在其承受高壓的飄移區(qū)(NIGBTN-)之下增加一層P+薄層引入了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),從而大大提高了器件的電流處理能力。

 

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IGBT制造流程主要是包括芯片設(shè)計(jì),晶圓制造,封裝測(cè)試;IGBT芯片的制程正面和標(biāo)準(zhǔn)VDMOS差異不大,背面工藝包括:1) 背面減薄;2) 背面注入;3) 背面清洗;4)背面金屬化;5) 背面Alloy;今天介紹下IGBT封裝的工藝流程及其設(shè)備。

 

首先了解下IGBT模塊跟單管主要優(yōu)勢(shì)有以下幾個(gè)。

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·多個(gè)IGBT芯片并聯(lián),IGBT的電流規(guī)格更大。

·多個(gè)IGBT芯片按照特定的電路形式組合,如半橋、全橋等,可以減少外部電路連接的復(fù)雜性。

·多個(gè)IGBT芯片處于同一個(gè)金屬基板上,等于是在獨(dú)立的散熱器與IGBT芯片之間增加了一塊均熱板,工作更可靠。

·一個(gè)模塊內(nèi)的多個(gè)IGBT芯片經(jīng)過(guò)了模塊制造商的篩選,其參數(shù)一致性比市售分立元件要好。

·模塊中多個(gè)IGBT芯片之間的連接與多個(gè)分立形式的單管進(jìn)行外部連接相比,電路布局更好,引線電感更小。

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·模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接。同一制造商的同系列產(chǎn)品,模塊的最高電壓等級(jí)一般會(huì)比IGBT 單管高1-2個(gè)等級(jí),如果單管產(chǎn)品的最高電壓規(guī)格為1700V,則模塊有2500V、3300V乃至更高電壓規(guī)格的產(chǎn)品。

IGBT模塊生產(chǎn)工藝

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IGBT整線需要的設(shè)備(僅供參考)

序號(hào)

工段

設(shè)備名稱

1

Die bond+Wire Bond 自動(dòng)線—VI (一次回流)

DBC上料設(shè)備

2

Die bond 3臺(tái)

3

回流爐(供)

4

DBC下料設(shè)備

5

X-RAY檢測(cè)(供)

6

緩存機(jī)

7

鏡檢機(jī)

8

DBC貼基板 自動(dòng)線—VI (二次回流)

DBC貼基板設(shè)備(含植pin

9

回流爐(供)

10

基板拆焊+下料設(shè)備

11

基板+側(cè)框組裝 自動(dòng)線—VI

鍵合載具上料機(jī)

12

框架上料&打標(biāo)&點(diǎn)膠機(jī)

13

鏡檢機(jī)

14

鍵合載具下料機(jī)

15

真空灌膠+固化爐+封 ?蓋 自動(dòng)線—VI

載具上料機(jī)

16

模塊清潔機(jī)

17

真空灌膠機(jī)

18

高溫固化機(jī)

19

冷卻緩存設(shè)備

20

檢驗(yàn)平臺(tái)

21

自動(dòng)封蓋設(shè)備

22

鍵合載具下料機(jī)

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23

貼片機(jī)

貼附晶圓芯片機(jī)

24

前工藝輔助

切割機(jī)(激光切割sic)新機(jī)

25

激光切割sic

26

印刷錫膏

27

燒結(jié)銀:全自動(dòng)真空焊接系統(tǒng) (國(guó)產(chǎn))

28

燒結(jié)銀真空焊接系統(tǒng)

29

清潔設(shè)備

超聲波水洗(針對(duì)印刷錫膏工藝)

30

plasma等離子清洗

31

鍵合方式:主工藝設(shè)備

鋁線鍵合

32

產(chǎn)品流程追溯標(biāo)記

激光打標(biāo)

33

測(cè)試類 設(shè)備

功能測(cè)試(靜態(tài)測(cè)試)

功能測(cè)試(動(dòng)態(tài)測(cè)試)

34

空洞缺陷檢測(cè)(超掃)

35

推拉力測(cè)試

36

特殊類產(chǎn)品使用

端子成型

37

實(shí)驗(yàn)室用

顯微鏡

原文始發(fā)于微信公眾號(hào)(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):IGBT模塊生產(chǎn)工藝及設(shè)備一覽(收藏)

作者 li, meiyong

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